- 半导体产业自2010年重新导向成长轨道,在整合元件(IDM)大厂持续释出后段封测订单挹注下,封测产业的成长幅度将会高于半导体产业平均值。为了因应未来营运成长以及配合客户需求,IC封测厂拉高2010年资本支出。尽管如此,封测业扩产方向以新技术、新产品为主,考量到设备交期的问题,预测到了2010年封测产能仍有短缺之虞。
日月光2010年度的资本支出预估为4亿~5亿美元,较2009年增加6成之多,都将用来添购机器设备,其中以封装所占比重较高。矽品董事长林文伯在法说会上表示,在需求优于预期以及半导体产业
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半导体 封测 IDM 存储器
- 全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)发言人James Chung表示,三星无意购并英飞凌(Infineon),市场上流传的购并传闻并不属实;此外,英飞凌表示不愿针对市场臆测发表评论。
日前市场传出英飞凌将遭三星购并的消息,造成英飞凌股价上扬,然三星迅速出面否认购并的可能性。
英飞凌为德国半导体大厂,日前遭遇财务困难以2.43亿欧元(约3.65亿美元)将有线通讯事业卖给私募基金Golden Gate Capital。英飞凌执行长Peter Bauer表示,公
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三星电子 存储器 有线通讯
- 据Korea Times报导,全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)计划于2010年将全球DRAM市场市占率提升至45%。
三星高层透露,三星看好存储器芯片市场的未来展望,计划于2010年将全球DRAM市占率提升至45%,同时,这项策略代表三星将从2009年预期的36%市占率,提升9个百分点。
三星发言人Kin Choon-gon不愿证实这项消息,表示此讯息相当敏感,仅透露三星预期2010年在DRAM市场市占率将些微增加数个百分点。
此外,三星高层表示
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三星电子 DRAM 存储器
- 英飞凌科技股份公司近日被指定为参与欧洲合作研究项目MaxCaps 的德国五家合作伙伴的项目协调人,该项目旨在使电子设备变得更紧凑、更高效。共有来自半导体和汽车行业的17家公司和科研机构参与MaxCaps项目,开发“适用于下一代电容和存储器的材料”。
MaxCaps研究项目的目标是开发将电容集成至硅片的方法,从而使目前安装在印刷电路板(PCB)上的分立式器件的数量减少30%。取决于不同的应用,安装在PCB上的分立式电容所需的空间可减少约一半。另外,由于减少了电路板上的焊接点
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- 国际金融危机重创半导体业。今年第一季度企业产能利用率普遍在50%以下。进入第二季度后,我们看到部分企业业务止跌回升。近日,企业第三季度财报纷纷出笼,产业好转趋势进一步明朗化。但由于企业上升动力不足,产业出现“V型”反弹的可能性不大,应该会在振荡中上升。与此同时,今年半导体业销售额同比下降约15%的状况已确定无疑。业内目前关注明年产业上升的幅度。
多数IDM企业仍处于亏损之中
全球IDM(集成器件制造商)仍在复苏之中。其中,英特尔运营表现不错,第三季度赢利已回升到18
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半导体 存储器 Fabless
- 近年来,随着视频监控系统在各个领域的广泛应用,作为视频监近系统组成之一的多画面处理器的应用也愈来愈普遍。如使用一台九画面处理器,则可在一台监视器上同时监控9个目标,只需使用一台录像机便可对9路视频信
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- 尽管台湾创新存储器公司TIMC在立院紧急喊卡,但最近与TIMC洽谈合作的日商尔必达,仍是与台湾的茂德、华邦电进行业务合作,如果加上力晶和瑞晶,也形成台日5家DRAM厂,联手抗韩的局面,尔必达系统厂商,未来的市占率和排名第二的韩国海力士,也只有百分之零点三的差距。至于尔必达与茂德、华邦电的合作,是否由宣明智穿针引线,他则是强调对方相当重视台湾业界。
全球DRAM大厂日商尔必达,连日来动作频频,接连与茂德和华邦电进行合作计画,加上力晶本来就是尔必达的合作厂商,又握有瑞晶六成四的股份,以尔必达为首的台
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TIMC 存储器 DRAM
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在土木工程中,经常要用振弦式传感器测量各种指标参数,包括拉力、压力、应力、位移等。而振弦式传感器因制造工艺所致,其产品性能参数离散性很大,每个传感器都必须单独标定,得出一组基本上是惟一的
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实现 设计 管理系统 电子标签 传感器 传感器 存储器 单片机
- 远东金士顿(Kingston)董事长蔡笃恭指出,目前PC OEM厂对于DDR2和DDR3货源都很缺,产业链库存水位不高,预计到2009年底前都没有淡季,展望2010年存储器产业,NAND Flash市场受惠终端应用多元化发展,包括手机应用起飞和固态硬碟(SSD)应用浮出水面,加上NAND Flash端的供应商有限,预计NAND Flash产业表现可优于DRAM产业,而DRAM产业供不应求偏向是短期产能不足,DRAM价格在2.5美元上下是健康的水位,对PC厂、DRAM厂双方是可接受的价位。
蔡笃恭
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Kingston 存储器 DDR2 DDR3
- 基于闪烁存储器的TMS320VC5409 DSP并行引导装载方法,闪烁存储器Am29LV400B的主要特点及编程方法;通过把FLASH的前32K映射到DSP TMS320VC5409的数据空间,按照自举表(Boottable)的格式在FLASH中存储程序代码,由DSP引导装载(Bootloader)程序实现了FLASH的16位并行引导装载;结合实例介绍了该引导装载方法的实现过程。
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引导 装载 方法 并行 DSP 闪烁 存储器 TMS320VC5409 基于 转换器
- “经济部”「DRAM产业再造计画」20日最后截止日期,却出现戏剧性变化!台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件,形同退出这次计画;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company),并将这次台湾存储器产业整合规模推升到NAND Flash格局,反将了台湾创新存储器公司(TIMC)一军。力晶董事长黄崇仁表示,2010年将投入40奈米制程量产NAND Flash,且100%为自有技术,比任何同业都符合“经济部”所要求技术扎根条件,未来力晶
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力晶 DRAM 存储器 NAND
存储器介绍
什么是存储器
存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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