- 据iSuppli最新报道,全球存储器将从09年开始有一轮新的上升周期,而从2012年始又将呈下降走势(如下图所示);其中,09年全球存储器销售额仍将下降4%,为242亿美元,这已经是连续下跌的第三年。08年下降20%,达到252亿美元;07年为315亿美元,下降7%;而在06年,全球存储器达到了338亿美元的高峰。
受金融风暴影响,在过去两年中全球存储器前八大制造商已累积总亏损达80亿美元,至09年底时亏损将扩大到110亿美元。
金融危机加速存储器业复苏
金融危机是把双
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存储器 DRAM
- Rice大学研究人员正在着手研究一类存储单元密度至少为闪存两倍的石墨烯片状存储器。石墨烯(Graphene...
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Graphene 石墨烯 存储器
- 亚洲其它地区和美国的分析师及业内主管警告称,台湾政府对存储芯片公司的纾困,可能只会使该行业有史以来最糟糕的衰退之一延长。
台湾动态随机存储器(Dram)合同制造商去年的收入为80亿美元,占全球总量的约三分之一。Dram是电脑中使用的存储芯片。
这使它们成为全球IT业受经济下滑打击最严重一环的中心。市场研究机构iSuppli表示,今年,全球Dram业的收入减少了五分之一,而且Dram现在的市场价格处于历史低点,仅为生产成本的三分之一。
为了不让雇佣人数上万、银行贷款达12
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存储器
- 嵌入式控制应用的快速增长,对当今的微控制器提出了极为苛刻的要求。由于大量的数字/模拟输入信号的复杂控制算法都必须在一个界定的较短响应时间内进行处理,而且生成适当的输出信号。嵌入式控制应用对于电路板空间、功耗和整体系统成本往往也提出了苛刻的要求。因此,微控制器除需要提供足够的CPU和DSP性能外,还要求高度系统集成,从而避免扩展额外的外设。此外,它还能提供系统安全机制和降低器件功耗的特性。
支持电机控制设计的捕获/比较单元
CCU6是一个高分辨率的16位捕获/比较单元,采用特定应用模式,
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存储器 反熔丝 可编程
- 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,特点包括快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V05是工业控制、仪表、医
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存储器 RAM Ramtron FM25V10
- 据Digitimes网站报道,终端需求持续疲弱,11月上旬DRAM合约价再跌10%,DRAM市场没有任何止跌迹象,而现货价跌势亦让合约价无法止跌回稳,不少DRAM大厂为消化库存,不断以低价方式销售DRAM模块,让市场价格陷入冻结,即使多家DRAM厂宣布要减产救市,但目前对于DRAM价格仍没有太大激励性。
受全球金融海啸冲击,2008年下半电子产业传统旺季失灵,DRAM价格也在旺季中出现重挫,不仅最新出炉的11月上旬DRAM合约价再跌10%之多,1Gb容量DDR2价格仅剩下1.19美元,下半
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DRAM 存储器 金融海啸
- 来工业界的领袖们几乎一致的采用“困难”、“不可预测”、“差”或者“有限的可见度”来描绘目前工业的现状、前景的不确定性以及未来可能面临严峻的挑战。
此次金融风暴危害有多深?
由美国次贷危机引发的金融风暴,已经从美国蔓延至全球。从9月15日美国雷曼银行倒闭到如今的1个半月中,全球股市总计蒸发了10万亿美元。不少国家出现财政危机,如冰岛政府向IMF求20亿美元的紧急贷款。预计未来匈牙利、罗
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半导体 硅片 存储器 金融危机
- 台湾地区取得全球晶圆代工第一、封装第一及IC设计第二(仅次于美国)如此骄人的成绩,并没有 沾沾自喜,相反总是在努力寻找差距,并确立追赶目标,这一点非常难能可贵。例如在台湾岛内自2004年开始,就半导体及平板显示业展开大讨论,以南韩为目标寻找差距。口号是“为什么韩国能,台湾不能?”
通过分析与比较,台湾在半导体产业中的目标是:1) 总产值要超过韩国,成为继美国,日本之后的全球第三位;2) 在未来三至五年中,存储器业要超过韩国,成为全球第一。
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晶圆 IC设计 存储器 DRAM 半导体业
- 受美国金融危机的影响,市场调研机构纷纷调整对半导体产业前景的预期。
半导体设备市场正在发生变化,8月SEMI发布乐观的2009年资本支出预测后,日前调降了市场预期,并称诸多芯片制造商处于突然其来的“恐慌状态”。8月的报告中,SEMI预测2008年晶圆厂设备支出减少20%,而2009年将反弹20%。对于2008年的预测没有变化。但对于2009年,SEMI分析师ChristianGregorDieseldorff表示,预计半导体资本支出增幅在-10%至5%之间。许多芯片制
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半导体 存储器 芯片
- 引言
DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC开发的新生代内存技术标准,与上一代DDR内存技术标准相比,虽然采用时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有2倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4 bit数据读预取)。即就是,DDR2内存每时钟能以4倍的外部总线速度读/写数据,并且能以内部控制总线4倍的速度运行。
此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装,而不是目前DDR广泛应用的TSOP/TSOP-II封装,FB
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嵌入式 内存 DDR2 存储器
- 提到“华尔街”,这个词现在所包含的意义其实已经远远超过了纽约市内那条短短的WALL Street,因为对于世界经济来说,华尔街俨然世界经济的心脏,华尔街模式的存在成为保持经济活力的源泉。其实,华尔街模式并不神秘,说得简单点,所谓“华尔街”模式不过是金融运作的高级手段,之所以充满活力是因为其本身几乎就是空手套白狼。然而,空手不是永远安全,总有被狼咬上一口的时候,随着最近次贷危机中众多独立投行的危机,华尔街特有的商业投资模式正式被美国财政部叫停。
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半导体 华尔街 金融 投资银行 私募基金 芯片 存储器 产业结构
- Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10,是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,其特点是快速访问、无延迟(NoDelay?) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPRO
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- 近期黑心NAND闪存大量流窜到市面上,多数仿造三星产品,三星电子成最大受害者。
网易科技讯 9月16日消息,全球存储器市场不景气,而伪劣商品却大行其道,过去市面上曾出现黑心记忆卡,但近期在市场却首次出现黑心NAND Flash,大批已封装晶圆颗粒经拆封后,竟发现里面连芯片都没有,且已整批流窜到市面上,其中,以三星电子(Samsung Electronics)品牌NAND Flash为被仿冒大宗,算是最大受害者。业内人士表示,假的NAND Flash产品都是整批以低价交易,严重破坏NAND
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NAND 三星 存储器 黑心商品
- 据道琼斯通讯社报道,南通富士通微电子股份有限公司(Nantong Fujitsu Microelectronics Co., 简称:富通微电)和南亚科技(Nanya Technology Corp., )周二表示,双方签署了一份专利许可协议,以解决双方围绕动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM芯片)的专利纠纷。
两公司发表联合公告表示,根据协议,南通富士通微电子股份有限公司母公司富士通(Fujitsu Ltd., )将撤回要求法院禁止南亚科技DRAM
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存储器介绍
什么是存储器
存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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