根据SEMI近期发布的World Fab Forecast报告，报告显示2008年半导体设备支出将减少20％，而2009年将获得超过20％的反弹，主要受全球70多个晶圆厂项目的带动。该报告的2008年8月版列出了53个晶圆厂组建项目，2009年还有21个晶圆厂建设项目。
2008年，300mm晶圆厂项目占了晶圆厂设备支出的90％，约69％的支出用于65nm及以下节点技术。2008年全年晶圆厂总产能预计相当于1600万片200mm晶圆，年增长率仅9％，2007年增长率达16％。2009年，总产能预
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半导体 晶圆 逻辑电路 存储器
CC2511x（CC2510x 产品系列的姐妹产品）具有全速 USB 控制器。CC2511x 器件分为 3 个版本（8/16/32kB 快闪存储器和1/2/4kB RAM 存储器），除了支持强制端点 0 外，其还可支持 5 个 USB 端点。DMA 控制器可用于在主存储器和没有 MCU 干扰的 USB 控制器之间进行数据传输。由于 2.4-GHz 收发器可支持高达 500kSPS 的数据速率，因此，对于USB 适配器（无线耳机、键盘、鼠标、Presenter）以及需要与 USB 连接以进行固件升级的其
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TI 片上系统 MCU 存储器
1、引言
阿尔法磁谱仪(Alpha Magnetic Spectrometer，AMS)实验室是丁肇中博士领导的由美、俄、德、法、中等16个国家和地区共300多名科学家参加的大型国际合作项目。它是国际空间站上唯一大型物理实验，是人类第一次在太空中精密地测量高能量带电原子核粒子的实验。其目的是为寻找反物质所组成的宇宙和暗物质的来源以及测量宇宙线的来源。
但是对于AMS实验的空间电子系统，同样会受到高能粒子的袭击，导致存储器的内容发生变化，改写半导体存储器件的逻辑状态，导致存储单元在逻辑&ls
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FPGA 存储器 AMS 编码 译码
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款可满足 DDR、DDR2、 DDR3 与 DDR4 等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极／源极双数据速率 (DDR) 终端稳压器 TPS51200。该简便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容仅为 20 μF，比同类竞争解决方案的电容降低了近 80%。这样，设计人员可利用该器件实现更低成本、更小型化的 DDR 存储器终端解决方案，以满足数字电视、机顶盒、VGA 卡、电信、数据通信、笔记本以及台式机电脑等现代大容量存储器电子产品以及日益丰富的消费类电子产品的需求。
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TI 稳压器 存储器 DDR
Ramtron International Corporation宣布应用工业计算平台制造商其阳科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel为基础的 GA-2000 及以AMD 为基础的GA-3000游戏和高分辨率多媒体PC电路板中，设计使用Ramtron的FM22L16 4兆位 (Mb) F-RAM非易失性存储器。4Mb F-RAM具有快速写入、高耐用性和低功耗特点，可在其阳科技的游戏机解决方案中替代电池供电的SRAM (BBSRAM)，以确保数据的完整性，并能同时
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存储器 Ramtron F-RAM Aewin
日前，赛普拉斯半导体公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），进一步丰富了公司旗下从 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 产品系列。该新型产品的存取时间短至 20 纳秒，支持无限次的读写与调用循环，而且数据能保存 20 年之久。nvSRAM 为需要持续高速写入数据和绝对非易失性数据安全的应用提供了最佳解决方案，因此成为了服务器、RAID 应用、恶劣环境下的工业控制、汽车、医疗以及数据通信等领域的理想选择。
CY14B102 2 Mbi
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赛普拉斯 nvSRAM EEPROM 存储器
引言
DDR3 SDRAM存储器体系结构提高了带宽，总线速率达到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工艺密度提高到2 Gbits。这一体系结构的确速率更快，容量更大，单位比特的功耗更低，但是怎样才能实现DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?调平技术是关键。如果FPGA I/O结构中没有直接内置调平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口会非常复杂，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是调平技术，这一技
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FPGA 存储器 DDR3 SDRAM
恒忆 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 (PCM) 产品提供了无缝的绝佳架构途
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存储器 恒忆 Numonyx RAM
0 引言
为了能对大量负荷进行在线监控。很多公司较早地研制了基于单片机技术，能对配电变压器或配电线路负荷运行参数、电容器投切、电量采集等进行综合监控的配电综合测控仪。但是，由于供电系统负荷的复杂性，特别是用户非线性负荷的大量使用，企业对谐波等电能质量问题越来越重视，因此，对配电综合测控仪的要求也随之提高，而且普遍要求增加谐波、频率监测和通信组网等功能。为了解决这些问题。本文以PHILIPS公司的ARM7芯片LPC2220FBD144为核心，研制出了新一代的配电综合测控仪。
1硬件电路设计
1
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单片机 ARM7 测控仪 存储器
简介
一般来说，在诸如机器视觉、目标自动识别等要求严格的工业和军事应用场合中使用的成像系统都需要有实时高性能的计算处理能力。一直以来，这些成像系统依靠着专有的体系结构和定制的组件实现各自的性能，但近年来高性能通用微处理器技术的进步已经使人们生产出了大量可应用于高性能处理系统的低成本元件。
高性能成像系统尤其是使用了可扩展的多处理器体系结构的系统的设计的一个普遍缺陷就是不能平衡好计算带宽和带I/O接口的存储带宽之间的关系。最近，带有大容量内部高速缓存和高性能外部存储器接口的微处理器的引入，使
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微处理器 机器视觉 工业检测 存储器
非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布升级其FM31x Processor Companion (处理器伴侣) 系列。升级产品融入了更高效的涓流充电器和标准12.5pF外部晶振实时时钟 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存储器、高速双线接口及高度集成的支持与外设功能，适用于基于处理器的先进系统。
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Ramtron F-RAM 存储器 处理器伴侣
非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件数据记录仪 (EDR) -- FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器 (PLC) 类似，具有简单的器件设置和资料检索功能，便于系统集成和缩短设计周期。
FM6124是针对工业控制、医疗和计量等广泛的工业应用而设计。EDR能够实现
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Ramtron F-RAM 存储器 数据记录仪 EDR
0引言
当前，嵌入式系统的软件代码日趋复杂。然而，由于存储器、定时器等硬件资源仍然相对有限。如何在不影响系统整体性能的情况下，为嵌入式系统提供优异的定时性能，使系统能够高效运行，已是一个值得关注的问题。
1软件定时器
软件定时器是一组定时器实体的集合，是一种针对不同定时服务进行统一管理的多任务链表类型数据结构。软件定时器可使系统在某一确定时刻执行指定操作。它以可编程定时／计数器或单稳延时电路为基础。利用硬件定时器产生的定时中断来实现。虽然软件定时器也需要占用CPU时间，但是相对于硬件
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微处理器 软件定时器 嵌入式 存储器
1 引言
在单片机应用和智能仪器中，存储器已成为不可或缺的一部分，包括系统工作时存储临时性数据的RAM，以及永久性存储数据的非易失性存储器。RAM简单易用，存储速度快，但掉电数据易丢失；而非易失性存储器尽管能够长期保存数据，但存储速度慢，写入功耗高，而且读写次数受限。采用铁电存储器(FRAM)可解决上述问题。这种存储器的核心是铁电晶体材料具有RAM快速读写的优点，同时也具有非易失性存储器永久存储数据的特点。基于上述特点，介绍一种FRAM FM3116在复费率电能表中的应用设计。
2 FM3
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存储器 复费率 电能表 单片机 智能仪器
存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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