- 美国存储器大厂美光(Micron)公布2010会计年度第1季(2009年9~11月)财报，由于存储器价格回温，因此在连续亏损11季之后，终于由亏转盈。第1季营收为17.4亿美元，较2009年度同期成长约24%。净利为2.04亿美元，每股盈余(EPS)为0.23美元。
据彭博(Bloomberg)的预估，美光第1季的每股盈余为0.06美元，实际表现情况超出华尔街多数分析师的预期。美光执行长Steve Appleton表示，尽管全球经济仍挑战重重，美光靠著技术领先、成本优势及财务稳健的优势，可望在市
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Micron 存储器
- 东京大学宣布已经开发出一种可弯曲的快闪记忆体，这种记忆体完全由有机材料打造，额定读取和擦除电压分别为1V和6V，可惜的是寿命不长，数据只能被写入和擦除超过1000次左右。
这种存储器的用途广泛，可以用于大面积的传感器，电子纸和其他大型电子设备，由于存储寿命问题没有解决，因此还没有到商用阶段。
目前早期的样机已经出现，这种记忆体采用聚乙烯酯(PEN)，作为树脂薄膜基板，可以灵活弯曲直至它的半径为6mm也不会出现数据损害，并且可以短期保持记忆。
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存储器 电子纸 传感器
- 日本电脑芯片大厂Elpida Memory Inc. 预期芯片将出现短缺潮，因而计划在明年4月起的财年中，增加其资本支出。
尔必达社长兼执行长坂本幸雄周二在记者会上表示，尔必达下一个财年的资本支出可能将自本财年的5亿美元上升至6亿美元。
他表示：“明年(DRAM芯片产业状况将大幅好转。”
尔必达预期，一些驱动新需求的动力，例如微软的Window 7个人电脑操作系统，有可能刺激个人电脑汰换潮发生，进而提升存储芯片的销售力道。
坂本幸雄预期，明年全球用于电脑
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Elpida DRAM 存储器
- 非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电子系统对非易失性存储器的要求更高，数据存储应用需要写入速度极快的高密度存储器，而代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。
经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小技术节点的新式存储器机制和材料。
目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制，相变存储器(PC
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恒忆 NVM 存储器 浮栅存储
- 台湾DRAM产业暌违4年，2010年即将出现第6家上柜挂牌的DRAM新兵，尔必达(Elpida)旗下瑞晶计划在2010年申请挂牌上柜，为枯木逢春的存储器产业再添色彩!值得注意的是，目前尔必达对瑞晶持股达70%，申请挂牌前势必要先释股，持股降至50%以下，已传出计画引进策略联盟伙伴的消息，产业上、下游供应链都会是潜在的合作对象;存储器业者分析，虽然日方希望尔必达能掌握瑞晶多数股权，但若瑞晶未来可以独立募资，这是对母、子公司都好的作法。
台湾DRAM产业共有6家DRAM厂，其中有5家已挂牌上市柜，1
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Elpida DRAM 存储器
- DRAM景气逐渐触底反弹，相关业者预估2010年第2季DRAM每颗报价有机会落在2.2~2.5美元，不仅DRAM业者在2010~2011年大幅获利，DRAM封测厂也有机会调涨代工价格，模块厂的获利能力则将由过去暴利回复到合理利润，预期2010年DRAM产业将呈现上肥下瘦局面，DRAM好光景可望延续到2013年。
联测科技总经理徐英琳分析2010年第1季，预期存储器景气仍将延续2009年第4季荣景，预估2个季度景气应为持平，不像过去第1季的季节性循环会季减10%。就产品别而言，Nor Flash和
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- 台湾半导体生产商期望通过转变策略来应对电脑存储芯片市场占有率下降带来的挑战，但此举可能导致它们全盘退出核心业务。
由于芯片行业从2007年起陷入有史以来最严重的滑坡，南亚科技及台湾力晶半导体股份有限公司(简称：力晶)等台湾芯片行业的支柱公司已在亏损中挣扎了两年多。尽管今年芯片价格出现反弹，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍处于贷款违约的边缘。
与此同时，韩国和日本的竞争对手凭藉更先进、成本更低的生产技术持续发展壮大。
为应对上述局面，台资公司
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力晶 DRAM 存储器
- 芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma®)设计自动化有限公司(纳斯达克代码：LAVA)日前宣布，领先的存储器产品提供商Hynix半导体公司已采用并部署微捷码公司的FineSim™ Pro和FineSim SPICE作为其存储器设计和验证流程的一个必要组成部分。Hynix是在对其现有的大量商用产品、多种不同类型设计进行广泛的技术评估后才做出的这个决定。评估结果证明：FineSim Pro能在提高精度的同时提供较竞争对手产品更快3-4倍性能。
“准时交付高可靠性存储
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Magma 电路仿真 存储器
- 微捷码日前宣布，东芝公司(Toshiba Corporation)将部署Quartz(tm) DRC和Quartz LVS用于快闪存储器设计。东芝公司是在32纳米设计上验证了这两款微捷码物理验证产品的精度后才做出的这个决定。据验证结果显示：Quartz DRC和Quartz LVS的先进功能可改善东芝快闪存储器设计的良率和可靠性。
传统DRC和LVS工具仅采用物理行为分析，这种方式不是引入了过度保守主义，就是不能识别出对产品可靠性有影响的各种效应。在先进工艺节点，电学行为分析也是不可或缺的。微捷
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东芝 32纳米 存储器
- 台系DRAM厂开始规划2010年资本支出，估计包括南亚科、华亚科、力晶和茂德4家DRAM厂2010年资本支出逾新台币700亿元，且主要支出集中在台塑集团身上，台DRAM厂似乎又生龙活虎起来，开始扩大投资规模，然相较于三星电子(Samsung Electronics)2010年在存储器领域资本支出至少30亿美元来看，台系4家DRAM厂合计资本支出仍远落后三星，未来三星不仅将稳坐龙头，且恐将再度侵蚀台DRAM厂既有市占率。
三星是这一波DRAM产业海啸大赢家，这波巨浪吹倒台DRAM产业，亦让美、日系
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力晶 DRAM 存储器
- 全球第2大芯片设备制造商Tokyo Electron(TEL)董事长东哲郎(Higashi Tetsuro)表示，受惠于存储器芯片制造商需求提高，预估第4季订单将超过原先预期。
东哲郎引述瑞士信贷(Credit Suisse Group AG)所做的预测表示，截至12月底止的第4季芯片与FPD制造设备的下订金额将达1,050亿日圆(约12亿美元)，相较于10月TEL预测下订金额为938亿日圆(约10.7亿美元)，提高了12%。
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TEL 存储器 芯片制造
- 在本应用文章中，描述了与DDR相关的许多测试挑战，并提出了验证和调试存储器设计的工具。
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DDR 存储器 电气特性
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三星表示无意购并英飞凌
市场上流传的购并传闻并不属实
全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)发言人James Chung表示，三星无意购并英飞凌(Infineon)，市场上流传的购并传闻并不属实;此外，英飞凌表示不愿针对市场臆测发表评论。
日前市场传出英飞凌将遭三星购并的消息，造成英飞凌股价上扬，然三星迅速出面否认购并的可能性。
英飞凌为德国半导体大厂，日前遭遇财务困难以2.43亿欧元(约3.65亿美元)将有线通讯事业卖给私募基
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三星 存储器
- 编者点评：WSTS是国际上最具权威的半导体业分析机构，通常每年春、秋两季作两次预测，基本上对于半导体业定了基调，值得参考。
全球半导体贸易统计机构(WSTS)对于2010年各类芯片的展望，有的达两位数，这是由于前几个月工业迅速回升。
象其它市场分析机构一样，WSTS已作出今年的秋季最新预测，认为2009年全球半导体业将下降11%，而在6月时曾预测下降大于20%。其中美国的数据尤为突出，其09年仅下降1%，而6月时预测下降15%。由此WSTS坚信工业已经触底，未来推动正的增长。
WST
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半导体 存储器 光电器件 分立器件
存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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