- 2007年8月7日，中国苏州——全球领先的存储产品供应商奇梦达公司（NYSE:QI）今日宣布，该公司计划在中国苏州设立一家新的专门开发存储产品的研发中心。这家新的研发中心将帮助奇梦达实现扩大和多样化产品组合的目标。新研发中心位于奇梦达设在苏州工业园区负责组装和测试内存IC（后端）的奇梦达工厂内，距上海80公里。 苏州研发中心是由奇梦达全资所有的独立实体，预计总投资额将达到2,000万美元。该研发中心计划于2007年10月1日开始运营，同时从中国的大专院校聘请相关领域的工程师。奇梦达计划在五年内聘用200名
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奇梦达 存储
- 奇梦达公司近日宣布推出业界首款四列8GB DDR2全缓冲双线内存模组（FB-DIMM），该模组技术是推动下一代多核服务器性能的重要技术，同时还可降低服务器的功耗。这些领先的FB-DIMM模组进一步壮大了奇梦达本已非常广博的产品阵容，可更好地满足服务器和高性能计算机工作站应用日益增长的要求。 奇梦达的新款FB-DIMM模组的速率最快可达800 MHz。800 MHz模组将提高今年晚些时候面市的下一代服务器的性能。在800 MHz模组中，每条高速通道的带宽为4.8&nb
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- 奇梦达近日宣布，作为首批DRAM供应商之一 ，已开始向重要的主板厂商和超频内存模组制造商提供全新的DDR3组件和模组。此外，奇梦达新一代DDR3 DRAM产品已通过英特尔平台的认证。
奇梦达目前可提供512 MB DDR3 SDRAM组件和具备512MB和1GB存储密度的 DDR3非缓冲DIMM。当前提供的这些器件支持800MHz、1066MHz 和 1333MHz的工作速度，甚至可超频到1600MHz及以上，使它们成为迄今为止行业速度最快的器件。超频是提高高端应用PC系统性能的常用技术，例如3
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- 奇梦达公司近日宣布，公司计划通过在亚洲建造一个全资所有的300mm晶圆厂来增强其在亚洲市场的地位。根据全球半导体市场的增长和发展情况，奇梦达计划在今后五年内对该晶圆厂投资大约20亿欧元。新的晶圆厂拟设在新加坡，将拥有20,000平方米的清洁室，预计全面投量产后，将使奇梦达的前端产能每月增加60,000片。
“我们在新加坡的投资，是增强亚洲市场业务的重要一步。我们也会由此制定几项重要的战略目标。”奇梦达总裁兼首席执行官罗建华说，“这项投资能够让我们对快速增长的DRAM市场做出响应，并且更加靠近我们
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- 奇梦达携手Advantest开发GDDR5（显示双数据速率5）测试硬件。此次合作旨在开发适用于GDDR5图形DRAM（动态随机存取存储器）的经济有效的大容量测试解决方案。 GDDR5将成为继GDDR3之后的下一个主要显示DRAM标准。GDDR5存储器性能将超过现有的显示标准。全新特性和性能将使GDDR5成为适用于未来高性能显示应用（如PC显卡或游戏控制台）的理想产品。GDDR5标准目前正在由JEDEC制定。新的I/O标准要成功地进入市场需要可制造性的支持，而内存测试正是制造的一个主要部分。
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- 全球最大的闪存解决方案供应商Spansion 公司（NASDAQ：SPSN）与领先的DRAM制造商奇梦达公司今日宣布, 双方已签署策略供应协议。根据协议规定，奇梦达低功耗专用DRAM和Spansion® MirrorBit® NOR和 ORNAND™ 闪存将被集成至面向移动设备的多重芯片封装（MCP）存储系统中。除此之外，两家公司计划协调彼此的产品发展蓝图， 特别是针对特定Spansion 闪存的奇梦达PSRAM（Pseudo SRAM），从而取得更高的经济效益和成品率，为移动
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- Spansion与DRAM制造商奇梦达公司今日宣布, 双方已签署策略供应协议。根据协议规定，奇梦达低功耗专用DRAM和Spansion® MirrorBit® NOR和 ORNAND™ 闪存将被集成至面向移动设备的多重芯片封装（MCP）存储系统中。除此之外，两家公司计划协调彼此的产品发展蓝图， 特别是针对特定Spansion 闪存的奇梦达PSRAM（Pseudo SRAM），从而取得更高的经济效益和成品率，为移动设备OEM厂商提供更高效率。
根据协议规定，奇梦达将以提
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Spansion 策略供应协议 奇梦达
- 内存生产商奇梦达和美光先于三星电子，推出了DDR3 DRAM内存的样品。该公司的营销副总裁简尼-马凯（Jenn Markey）称，长期以来市场一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗却不会显著增加的DDR3的出现，只是奇怪美光和奇梦达能在DRAM市场传统领先者三星之前推出。 DDR3的数据传输速率可达到1600Mb/s（1600兆位/秒），电源电压却从1.8伏特下降到1.5伏特，这可降低能耗和延长移动设备的电池寿命。美光内存部门高级营销主管比
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- 奇梦达公司宣布，公司将对位于中国苏州，距离上海西部80公里的苏州工业园的存储IC组装和测试后道工厂进行扩建。在扩建过程中，奇梦达将建造第二座工厂，以使其产能翻番。在接下来的三年中，公司将在新工厂的基础设施、生产设备和 IT方面投资约2.5亿欧元。这次扩建是对从2003年开始在苏州工业园建造的现有生产基地的继续投资。
奇梦达计划在2007年3月开始新工厂的建造，准备于2007年底在新工厂进行设备安装。在现有的10,000平方米清洁室的基础上，将继续建设一个新的面积达10,000平方米的清洁室。此次
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- 奇梦达近日公布了2007财年第一季度（截止到2006年12月31日）的财务数据。2007财年第一季度，奇梦达的净销售额为11.7亿欧元，比去年同期增长73%，比上个季度轻微下滑5%。2007财年第一季度的息税前收益 (EBIT) 为2.5亿欧元，与2006财年第四季度的2.15亿欧元相比，增长16%，而2006财年第一季度公司亏损1.23亿欧元。本季度的净收入增至1.77亿欧元（每股收益 （基本的和稀释的） 0.52欧元），相比之下，上一季度的净收入为1.56亿欧元
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- Ovonyx公司与奇梦达股份公司（NYSE：QI）宣布，双方就采用Ovonyx和奇梦达的相变随机存取存储器（PCRAM）相关技术专利及知识产权的内存产品，签订长期交叉许可协议。根据该协议规定，Ovonyx公司将大力支持奇梦达相变内存产品开发项目。 Ovonyx与其最大的股东Energy Conversion Devices发明并率先开发了PCRAM技术，对PCRAM的情况非常了解，包括相变内存设备、材料、加工、设计、模型制造和性能优化。Ovonyx PCRAM技术采用可逆相变
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- 尺寸非常小的新型“相变”内存速度远远快于闪存 来自IBM、旺宏和奇梦达的科学家今天联合发布他们的共同研究成果，这种新型计算机存储器技术将有望取代已被广泛用于计算机和消费类电子产品（如数码相机和便携式音乐播放器）的闪存芯片。 新研究成果预示“相变”内存的前景一片光明，该内存的处理速度远远快于闪存，并且尺寸也比闪存小得多，从而使未来高密度“非易失性”存储器以及功能更强大的电子设备的出现成为可能。非易失性存储器无需利用电力来保存信息。通过将非易失性与优异性能以及可靠性完美结合起来，相变技术还为面向移
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- 奇梦达推出DDR366移动RAM——业界首款性能高达183兆赫的移动RAM，满足移动应用不断增长的带宽需求，同时实现最低功耗 奇梦达股份公司（NYSE：QI）宣布推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM（DDR366）。这款全新的存储器件采用60球细密球型网数组封装（FBGA封装），存储容量为512Mb, 工作电压为1.8V，符合JEDEC DDR标准。为提高系统制造商对高带宽市场需求的回应，奇梦达率先推出的183赫兹移动RAM将以其低功耗满足具有多种应用的消费类手持终端不断增长
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- 奇梦达与赫克松科技成合作伙伴 亿能内存在大陆扩展销售版图 德国半导体大厂奇梦达公司(Qimonda AG, NYSE:QI)宣布，已授权赫克松科技有限公司正式成为其分销代理合作伙伴，负责奇梦达「亿能内存」(Aeneon)产品在中国大陆市场的零售服务。这项宣布除了显示奇梦达已扩展了亿能内存在大陆的销售版图，其中包括了赫克松科技在大陆主要城市如上海和深圳等驻点外，更进一步提升亿能内存产品今后在大中国区市场的品牌形象与定位。 亿能内存全球渠道通路副总裁林英杰先生表示：「正如我们把A
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- 奇梦达公司和南亚科技公司宣布已成功获得75纳米 DRAM 沟槽式(Trench)技术之验证，最小之制程尺寸为70纳米, 第一个75纳米之产品将为512Mb DDR2 内存芯片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇梦达开发中心所开发的。目前已经在奇梦达的德累斯顿十二吋厂生产线开始此项新一代 DRAM技术之试产。 负责奇梦达的市场和运作，也是管理委员会的委员之一的赛佛(Thomas&
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奇梦达介绍
英飞凌科技公司（InfineonTechnologies）总部位于德国慕尼黑，德国最大的半导体产品制造商，是国际半导体产业富有创造性的领导者法兰克福上市代码：IFX。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。为特定领域设计、研发、生产和销售广泛的半导体及完整的系统解决方案。产品广泛使用在有线、无线通信领域、汽车及工业电 [
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