- PRAM内存的处理速度远远快于闪存，理论上其写入数据速度是普通闪存芯片的30倍，保守也可达到10倍以上，而且尺寸也比闪存小很多，从而使未来高密度非易失性存储器以及功能更强大的电子设备的出现成为可能。 三星电子、IBM、奇梦达、意法半导体以及英特尔公司，都在积极进行PRAM存储产品的研发。 全球最大的存储芯片制造商三星公司称，PRAM产品的生产流程也比NOR flash产品简单许多，三星公司于去年开发出了512MB的PRAM产品，预计最早可在2008年实现量产。 此外，IBM与多家内存厂商合作，共同开发出一
- 关键字：
模拟技术 电源技术 现代 Ovonyx PRAM MCU和嵌入式微处理器
- Ovonyx公司与奇梦达股份公司（NYSE：QI）宣布，双方就采用Ovonyx和奇梦达的相变随机存取存储器（PCRAM）相关技术专利及知识产权的内存产品，签订长期交叉许可协议。根据该协议规定，Ovonyx公司将大力支持奇梦达相变内存产品开发项目。 Ovonyx与其最大的股东Energy Conversion Devices发明并率先开发了PCRAM技术，对PCRAM的情况非常了解，包括相变内存设备、材料、加工、设计、模型制造和性能优化。Ovonyx PCRAM技术采用可逆相变
- 关键字：
Ovonyx 单片机 奇梦达 嵌入式系统 相变内存技术 许可协议 存储器
ovonyx介绍
您好，目前还没有人创建词条ovonyx!
欢迎您创建该词条，阐述对ovonyx的理解，并与今后在此搜索ovonyx的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
