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随着市场对笔记本电脑快充需求的增加，英飞凌针对28V输出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了长期以来的100W功率限制，最高功率可达到140W，进一步提高笔记本的充电效率，可以满足更大功率的设备供电。英飞凌U......
在通用变频器或伺服驱动器的设计中，经常会用到英飞凌的PIM模块（即集成了二极管整流桥+刹车单元+IGBT逆变单元的模块）。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的，且由于其多数都是......
UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（采用开尔文连......
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择......
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我们从硬件角度和控制策略上广泛介绍了25 kW电动汽车充电桩的开发。图1代表到目前为止所讨论的系统。在第六部分中，我们将注意力转向驱动SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。由于......
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。富昌电子（Future Elec......
在之前的技术文章中，介绍了驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术，本文会继续介绍英飞凌的绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术。高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展，走向了绝缘体上硅（silicon-on-insulator，......
电源管理技术作为电气化时代各行各业发展必不可少的一项技术，是提升终端设备能效的主要途径。从系统层面看，电源管理系统让设备实现了稳定性、低功耗、高性能，在节能减排的大趋势下，这项优势会愈发突出；从器件层面看，电源管理芯片和......
本文第二部分介绍如何测量高压或负供电轨上的电流，以及如何为IMON检测方法设置配置寄存器。本文阐述了测量电流的精度考虑因素，并提供了使用LTpowerPlay®进行器件编程的相关说明。在第一部分，我们介绍了电流检测的基本......
现在许多便携设备都是由很小的零件来供电。因此电源管理IC（PMIC）在控制装置内的电源管理中扮演着非常重要的角色。PCA9450能支持智能家庭、智能城市，边缘计算、工业及工业物联网中的各种应用。 PCA9450是单......
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