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在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。 如今，电源管理......
商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。1. 正向特性图......
本文将介绍低压差稳压器的基础知识及其相对于传统线性和开关模式电源稳压器的关键特性。然后，介绍来自 Diodes Incorporated 的真正电阻器件及其用法。现代电子设备正变得越来越小，越来越便携......
作者：Leon Li, Jiming Li, Hao Zhang顶部散热TSCTop-side cooling顶部散热封装保留与插件封装等效散热潜能的同时，还带来了额外的好处，且不同顶部散热器件保持了同样的高度。在电动汽......
/ 摘要/本文介绍了工业应用辅助电源解决方案，包括两级式辅助电源架构和各种拓扑结构。第一级辅助电源通常使用反激拓扑，英飞凌的1700V CoolSiC™ SiC MOSFET可以帮助客户简化设计。第二级辅助电源可以使用L......
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代......
电源用于各种困难和苛刻的环境。然而，现代电源的“坚固性”是主观的。例如，足够坚固且能够承受高海拔环境的电源可能不具备承受海洋环境所需的条件。那么，在没有标准定义的情况下，如何获得所需的耐用型电源呢？无论您的规格是半页文档......
氮化镓 （GaN） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 是场效应晶体管的一种形式，它在微波频率下工作时结合了高水平的性能和低噪声系数。不过，HEMT 与其他类型的 FET 器件有些不同，它的性能优于标准......
电源市场的驱动力已从家用电器和工业机器人转变为电动汽车 ，其中最重要的趋势是通过降低功率损耗、提高运行温度和降低热阻来提高功率模块的功率密度。 未来，可以预期基于逆变器的资源和电源集成电路将成为绿色转型和数字转型的新驱动......
在万物互联与智能化浪潮的推动下，现代电子设备对电源管理提出了前所未有的严苛要求。从智能摄像头到固态硬盘，从工业控制器到AI处理器，设备不仅需要多路精准的电压输出，还要在紧凑空间内实现高效、可靠的能源分配。传统分立式电源方......
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