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Data I/O宣布为瑞萨(Renesas) R8C/11 “Tiny” 系列微控制器提供支持，首先将在 Data&nbs......
DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压，并需要等于电源电压一半的基准电压（VREF＝VDD/2）。此外，各逻辑输出......
Spansion LLC近日宣布，任命Joseph Rauschmayer为Spansion公司嵌入式存储事业部负责产品工程的全球副总裁。Rauschmayer先生是一位拥有25年从业经验的专家，曾经......
全球最大的内存芯片生产商三星电子宣布，已经成功采用70纳米生产工艺制造出第一块DRAM芯片。一旦这种生产工艺广泛应用于该公司的生产线，从同一硅片上生产的芯片数量将会翻倍。 芯片上的晶体管越多，它们之间......
韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。 三星电子称，采用70nm工艺生产......
华盛顿当地时间本周四，美国司法部宣布，三星将对操纵DRAM内存价格的指控供认不讳，并同意支付3亿美元的罚款。 作为美国政府对三星在美国DRAM内存市场上操纵价格的为期3......
2005年9月29日，北京讯——总部设在慕尼黑的英飞凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）与总部设在台湾桃园的南亚科技（NTC）今日宣布，双方已签署关于扩大DRAM（动态随机存取存储器）开发合作范围的协议。协议规定自20......
站在十字路口的DRAM买方和卖方，何去何从?DRAM供应商希望有朝一日一种产品大小规格能适应所有的应用要求，但各种各样的设备要求则与之相差甚远。DRAM用户也许更喜欢定制的芯片，但价格会格外昂贵。双方会在保持原则的同时作......
用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写 1引言 在DSP系统的设计中，经常要使用片外存储器扩充系统存储空间。特别是当DSP的片内数据存储器和程序存储器容量比较小时, 必须把一部分数据，如常量、原始数据库等存储到片外的......
NAND128小页闪存是唯一的一个采用90纳米制造工艺的128兆位 NAND 闪存， 能够提高消费电子设备制造商的成本效益 意法半导体今天宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的......
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