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根据市调机构iSuppli最新报告显示，全球最大存储器业者三星电子(Samsung Electronics)在积极扩产动作下，2010年第2季的全球DRAM市占率再下一城，从上季的32.6%进一步攀升到第2季的35.......
Intel与镁光公司已经成功生产出基于25nm制程技术的3位元型NAND闪存芯片产品，目前他们已经将有关的产品样品送往部分客户手中进行评估，预计这款NAND闪存芯片将于今年年底前开始量产。这款25nm NAND闪存芯......
据国外媒体报道，英特尔和Micron已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片，为达到最高效率，该芯片使用了三层存储单元技术。 首款8GB和64GB芯片正在向选定的客户发售，用于SD卡存储设备。该芯片在每个存储......
iSuppli今天警告称闪存价格可能崩溃性地调整到1美元/GB，这是因为用于闪存产品的NAND记忆体价格今年开始冲高回落，并且技术的演变让内存单元的价位开始雪崩。 由于下降的价格，目前看上去过于昂贵的SSD将在......
过去台湾在DRAM产业上的主要技术合作来源包括日本、美国、南韩和德国，这几大阵营各自在制程技术上有很大差别，最大差别在于德系业者采用沟槽式(Trench)制程技术，在这一波金融风暴洗礼之下，成为被淘汰的阵营。 ......
SanDisk公司今天发布了一种固态驱动器，它可以为平板移动设备带来和以往产品完全不同的快速体验。 这种硬币大小的产品被称为iSSD，整个外形几乎都是记忆体和控制器，但这却获得了比平常更多的NAND闪存速度，读......
据美国物理研究所出版的《应用物理》杂志报道，日本东北大学的科学家们在试验室中使用铁电存储技术将存储芯片的存储密度提升到了每平方英寸4Tbit，达成了铁电存储体的新世界纪录，如此等级的存储密度要比现有最高级的磁记录型硬......
英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间，还能增加消费电子产品的存储容量。 新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息，存储容量高达64G位(相当于8GB......
英特尔今天宣布和镁光一起发布25nm TLC闪存的第一款样品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较......
Yonhap News报导，全球第二大记忆体制造商Hynix Semiconductor Inc. 13日在呈交至韩国证交所的文件中宣布，该公司将投资6,770亿韩元(5.69亿美元)扩充、升级现有的生产线，同时并将......
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