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SDRAM接口的VHDL设计

作者:清华大学电子工程系 沙燕萍 曾烈光 时间:2008-06-13 来源:电子技术应用 收藏

  3.2 写操作时序设计

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/84168.htm

  当数据转移方向为从双口RAM到时,如果写操作行地址未发生变化,可以满足每时钟周期写入一次数据的高速操作。但是当SDRAM行地址发生变化时,必须返回预充状态,由于从SDRAM的写命令输入到SDRAM数据输入之间没有延时,所以判断下一写操作的行 地址是否发生变化无需提前判断,因此写操作状态转移图比读操作部分简单。写操作部分的状态转移图如图3所示。

  在所设计的读、写操作时序中,SDRAM地址、数据、控制信号和RAM部分的地址、数据、读写控制信号均由有限状态机产生,因此在状态转移过程中还必须仔细考虑RAM部分输出控制信号的时序关系。

  4 实现

  硬件描述语言(Very=high Speed IC HARDWARE DESCRIPTION Language)是一种应用于电路设计的高层次描述语言,具有行为级、寄存器传输级和门级等多层次描述,并且具有简单、易读、易修改和与工


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