安森美推出HighQ制造工艺和IPD设计工具

    安森美半导体（Onsemi）宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ™硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。 

    安森美半导体的HighQ™ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。 

    位于美国的世界级安森美半导体200 mm制造厂采用的是IPD工艺。该厂具有高水平的原型和生产周期，高科技产品生产和故障分析设备和系统。 

    HighQ™制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、MIM 电容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 电阻器(9 ohms/square)，工艺成熟，将满足全部可靠性评估标准，显示了该方案的稳健。 
•    加工温度-65