rSRAM消除“软错误”对电子系统的威胁 作者：eaw 时间：2005-04-28 来源：eaw 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 意法半导体(ST)公布的一项新技术rSRAM，完全可以消除近年来不断困扰电子设备制造商的 “软错误”难题。由于该技术对标准SRAM存储单元的改进方法是在单元结构内以垂直方式增装附加电容器，因此，芯片面积以及制造成本都不会受到较大的影响。www.st.com
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