拯救英特尔Foundry一切都还刚刚开始

如果单从股价和财报上看，英特尔似乎已经走过了最艰难的日子，股价飙升80%，从巨额亏损到实现不小的季度盈利，以及自己18A工艺开始量产，诸多利好消息都在预示着这家昔日半导体霸主的2025 多么令人兴奋，但真正的问题是，英特尔最尴尬的晶圆制造部门怎么样了？

说起晶圆制造，虽然整个产业的产能利用率并不如2021年那么紧缺，但伴随着AI 和汽车电子催生的半导体需求暴涨，几乎没有晶圆厂都接近满负荷运转（也许除了英特尔）。不提利润率超4 成的台积电，以及产能利用率持续超100% 的中国大陆两大晶圆厂，英特尔没吃下的Tower盈利能力大幅攀升，英特尔正在谈合作成熟工艺的中国台湾UMC业绩长红，甚至被中东财团散养的格罗方德都已经开始通过收购扩张业务范围了。德州仪器今年宣布产能扩张进军成熟工艺代工，三星美国工厂迎来特斯拉百亿订单，存储器价格暴涨引发存储厂商利润率飙升。

面对如此“芯芯”向荣的2025 年，英特尔的制造部门却在第三季度交出了一份下滑的成绩单，这对于致力于将制造业务看作复苏英特尔基石的所有人，都是一个尴尬而不失礼貌的答卷。

英特尔2025第三季度财报

1   18A，是英特尔的生命线？

2025年宣布量产的18A，是否会成为英特尔的生命线，这是一个值得思考的问题。从技术层面，18A 的发布证明了英特尔拥有跟台积电和三星同等工艺水平的能力，但以产品力来说，也许仅仅是能力而已。

18A是基辛格整肃英特尔业务的终点（不管是计划中还是意外中断的），早在2021 年英特尔前首席执行官帕特· 基辛格回归英特尔之时就提出了全球IDM 2.0（集成设备制造商2.0）战略，该战略基于三个关键领域。

●   通过明确的计划“四年五节点”恢复芯片生产的领先地位，计划在四年内快速开发五项新工艺技术（Intel 7、4、3、20A、18A），以重新夺回对竞争对手的技术优势。

●   扩大与第三方工厂的合作：吸引竞争对手——主要是台积电——生产Chiplet架构的单个组件（图形单元、I/O芯片组等）的能力。

●   成立英特尔代工服务（IFS）——向第三方客户开放自有生产设施，使英特尔成为一家全面的合同制造商，与台积电和三星竞争。

很明显，这是一个能从根本上让英特尔再次辉煌的计划，但这个计划也是一个需要大量投入的计划，在执行计划中英特尔迅速恶化的财务报表直接导致了第二次CEO提前黯然离开。

18A同样是陈立武重建英特尔的起点，陈立武并没有放弃将英特尔制造作为公司未来核心业务的战略方向。最初的“四年五节点”的计划，尽管存在一定保留，但实际上已经实现或接近这一阶段。当陈立武举起18A工艺晶圆片笑着出现在镜头前，却没有任何客户为英特尔的代工业务埋单，这个问题还要考虑到美国本土制造芯片呼声下，英特尔是唯一一家美国拥有3nm 以下工艺晶圆厂。甚至英特尔自己的产品线为了增加产品性能竞争力，选择在台积电的工厂代工。

虽然已经收获了软银的投资以及英伟达的联合开发入股，让英特尔的股价来到了上任之初承诺的价位，但是在可能是英特尔公司最了解半导体生态系统的陈立武心中，18A的成败几乎决定了能不能让自己2500 万美元购买的英特尔股份成功保值。

据传，当年主导台积电在工艺上实现对英特尔赶超的关键“夜鹰”计划的负责人罗唯仁已经“铁心”要重返奋斗了十多年的英特尔，助力英特尔制造业务重夺领先位置。

2   这一次换英特尔奋起直追了

那么用四年时间跨越5个节点到达的18A 究竟如何呢？回顾的开端，我们还要从令人琢磨不透的Intel 7 开始。10nm 时代的英特尔还是半导体工艺的领先者，但随后英特尔似乎迷失了方向，有人说是铜钨材质的纠结让英特尔被台积电后来居上，曾经一直跟随英特尔开拓出来的正确工艺研发路径的台积电先于英特尔找到了铜合金的处理方法。

向Intel 7工艺技术的过渡可能是技术上最容易实现的，当然从时间过程上却是最漫长的。事实上，Intel 7是另一项改进的10 纳米芯片制造技术。英特尔可能最专注于改进该节点，基于它发布了多代CPU。英特尔7 不仅仅是简单工艺节点重塑，与之前的10 纳米SuperFin 相比，得益于额外的优化，Intel 7（增强型SuperFin）每瓦能耗性能提升10–15%。2021 年底，Alder Lake 芯片使用的是Intel 7，后来Raptor Lake和Raptor Lake Refresh（Intel Core 12/13/14世代）也加入了。这也包括Sapphire Rapids 系列服务器处理器。

下一步技术是Intel 4工艺技术。这是一个相当重要的进步，因为英特尔为在短期内完成其实现方式，从深紫外光刻（DUV 光刻）转向极紫外（EUV）。这种波长更短（13.5 纳米对193 纳米）的新技术使晶体管尺寸缩小并显著提高了密度。使用DUV 技术生产需要多次曝光，这使工艺复杂化，增加掩膜数量，并增加缺陷风险，这在7 纳米以下的工艺尤为关键。极紫外光允许大多数层进行单次曝光，这也提高了晶体制造速度。极紫外也有缺点，比如光源是基于锡的激光等离子体，效率较低且设备功耗更高。此外，采用多层涂层的复杂镜面系统代替折射光学，这种系统对污染非常敏感，甚至纳米颗粒也可能在晶体中造成缺陷。当然，EUV的实现需要重新设计芯片设计、光罩和制造工艺，因此对于从DUV转型的企业来说，这并非易事。极紫外光刻设备成本显著高昂，因此只有极少数公司能够负担使用极紫外大规模生产芯片，英特尔迈过这一步并不让人意外，但基辛格引领的这一步却意义非凡，因为这是英特尔保留追赶台积电和三星希望的最关键一步，也是英特尔加速工艺开发节点的真正意义第一步。

英特尔采用Intel4工艺技术制造Meteor Lake（Core Ultra 1xx）移动处理器系列，主要用于带计算核心的主芯片组，而选择台积电N5用于集成显卡晶体，台积电N6用于芯片晶体芯片和I/O芯片，大概是英特尔首款采用不同厂商晶体组合的量产芯片。这生动地体现了公司在生产范式上更开放和变革的体现。也许这是强制措施，但与第三方厂商的合作符合英特尔新的变革理念。

紧随其后的Intel 3工艺比Intel 4更直接、更快速地实现。由于英特尔4 是首个广泛实现EUV 光刻技术的节点，英特尔3利用这一经验显著优化制造的各个方面。英特尔声称，升级后的Intel 3 节点在相同功耗下比英特尔4提升了多达18%的性能（或显著降低了功耗）。此外，得益于引入新的高密度标准单元库，Intel 3 相比Intel 4实现了约10%的晶体管密度提升。

如果比较Intel 3和台积电N3工艺技术的性能，这两者名义上属于“3 纳米”级别，不过台积电的3 nm工艺晶体管密度更高。根据公开的数据，台积电N3的升级版可达到每平方毫米1.9亿至2.1亿个晶体管，而Intel 3的密度为每平方毫米1.5亿个晶体管。因此，从该指标来看，Intel 3更像是台积电N4的竞争对手（1.45亿至1.7亿晶体管/ 平方毫米，即“4纳米级”）。

当然晶体管密度只是半导体工艺关键参数之一，据介绍Intel3 更适合高性能芯片和最大化工作频率，而TSMS N3 在为移动设备制造芯片方面具有优势，重点是提升能效。象征意义上，Intel 3 成为该公司最后一个采用FinFET 晶体管架构的节点，随后英特尔实现向GAA（全能门）结构的根本转变——栅极被门完全包围。

Intel 20A 工艺比较特别，从名义上它超越了同期的台积电3nm 工艺，它同时实现了两项基础创新——RibbonFET 和PowerVia。第一种实现了新的晶体管结构，采用纳米色带通道，完全被栅极（GAA）包围; 而PowerVia 则将电源轨移至晶体底部，晶体管层下方，从而降低损耗并提高元件密度。英特尔最初计划于2024年上半年开始Intel 20A 的试点生产，据传在该技术开发过程中，在改进下一代节点Intel 18A 方面取得了显著进展，该节点展现出更好的稳定性和可用芯片的良率。鉴于此，英特尔决定将资源集中于加速向Intel 18A的过渡，限制了Intel 20A 的实现规模。根据分析估计，这一步骤使公司节省了约5 亿美元，并缩短了达到更先进生产标准的时间。因此，最终Intel 20A 成为测试晶体管整体结构和电源技术深度变革的实验节点。

基辛格的“4 年5 节点”计划的终极目标是首批Intel 18A 芯片将在2024 年下半年推出，当然最终的量产时间晚了6 个月左右，从速度角度来说已经很让人惊叹了。英特尔的18A 工艺技术是“埃时代”中首个真正成熟的下一代节点，结合了两项基础创新——RibbonFET 晶体管架构和PowerVia 反向电源技术，这是该组合将首次在业内使用。英特尔18A 属于“1.8 纳米级”，有望与台积电N2（2 纳米）竞争。不过从量产时间点来看，英特尔的18A 似乎取得领先，但从实际产品上，似乎谁更能大批量（10 万片晶圆级别）交付给客户还不好说。

英特尔可以在单个芯片内调整纳米片的宽度，以优化速度或功耗。这允许对单个晶体管特性进行更细致的调优——例如“性能”和“效率”CPU 核心。由于栅极控制更佳，带状FET 需要更低的开关电压，从而减少散热并提升功率效率。向GAA 晶体管结构的转变对于高密度技术节点（小于5 纳米）尤为基础。上一代FinFET 在较大规模上表现相当高效，但随着晶体管尺寸减小，通道变得过短，栅极无法完全控制导电性——通道的静电控制会逐渐衰弱。即使晶体管应关闭，电流仍会“泄漏”通过通道的下半部，而栅极无法控制。短通道效应会产生，降低性能、可靠性，并显著增加静止功耗。带状场效应晶体管通过提供全信道控制、垂直堆叠多纳米丝带的能力以及减少晶体管间的最小间隙，提高了晶体管密度。这使得比FinFET 更多的有源元件可以在同一芯片面积上放置，而不失去可控性或增加泄漏电流。

使用带有GAA 结构的晶体管的想法并不新颖。三星在其3 纳米的三星SF3E 工艺中率先采用了类似架构，该工艺于2022 年年中推出，三星将其解释为MBCFET（多桥通道FET）。其基本原理与带状FET 相同。纳米带的具体尺寸、厚度以及用于制造栅栏和带状物间填充物的材料可能有所不同。台积电公司计划为台积电N2 工艺技术开发自有的GAA 变体。预计该节点的量产时间为“2025 年底至2026 年初”。因此，实际作也在逐步推进中。台积电的GAA 技术没有像英特尔（RibbonFET）或三星（MBCFET）那样的独特商业名称。台积电将其GAA 架构简称为“纳米片”，或使用GAAFET（全能门FET）的通用名称。

但真正让英特尔领先竞争对手的是同时使用GAA（RibbonFET）晶体管架构和BSPDN（后侧电源传输网络）电源技术，英特尔将其解读为PowerVia。PowerVia彻底改变了功耗管理的做法。传统上，电力线是放置在晶体管层上方，现在它们铺设在晶体管层下方，穿过晶体背面。这种供电方式可以释放上层用于信号连接，减少电损耗，减少信号延迟并提高能源效率。

将电源线移到芯片后方可以降低电阻和IR 下降，这对高时钟芯片至关重要。这项技术使英特尔有可能实现更高时钟频率或更高效的高性能核心，因为它释放了前端信号线空间，从而改善了布线。英特尔的主要竞争对手也在计划自己实现BSPDN。台积电将立即在其升级后的N2P 节点上测试超级动力轨道技术。预计将以下一个工艺技术台积电A16 开始量产，该技术暂定于2026 年下半年开始投产。三星还计划为2 纳米SF2Z 和SF1.4（1.4 纳米级）工艺技术分开信号线路和电源通道，这些工艺仅于2027 年推出。

3   RibbonFET + PowerVia组合

英特尔对Intel 18A 关键创新协同效应的期待是什么？研发人员保证，新工艺将在相同性能下实现超过25% 的功耗降低。或者，换个角度，我们可以考虑芯片在相同功耗水平下以更高频率运行的可能性。与英特尔3 工艺技术的性能相比，英特尔18A 每瓦能耗的性能提升可超过15%。同时，采用Intel 18A 工艺技术的晶体管间距比Intel 3 高出多达30%。这允许在相同尺寸的芯片上放置更多功能模块，或减小晶体尺寸，直接影响生产成本。

至于整体制造成本，使用PowerVia 相比之前的工艺技术略有提升，但由于成本结构的变化，差异仍属适度。PowerVia 技术可以降低晶体前端（前端）的复杂性和成本，减少对面罩的需求和技术步骤的数量。这在一定程度上弥补了技术本身带来的额外成本。英特尔表示，PowerVia 的实施在经济上是可行的解决方案。

4   英特尔18A的生产能力

向新的生产技术标准的过渡是一个非常艰难的过程，当我们谈论的不是研究和实验开发，而是规模化和大规模生产时，过程变得更加复杂。英特尔18A 的实际开发阶段在俄勒冈州的现代研发基地英特尔Fab D1X进行，测试了未来节点的关键技术和原型。新的制造晶圆厂位于亚利桑那州钱德勒附近的Ocotillo 园区。Fab52 最近获得了“全面运行”状态，确认了生产周期的建立和批量生产的准备。有趣的是，Ocotillo 园区距离凤凰城市仅30 至40 公里，而潜在竞争对手台积电已在郊区扩展了其工业基础。其Fab 21 Phase 1 已在此运行，该厂采用4 纳米工艺技术（台积电N4）制造芯片。此外，台积电计划组建多家工厂集群，采用台积电N2 和A16 工艺生产芯片。因此，亚利桑那州正迅速成为美国先进芯片生产的主要中心之一。工厂的靠近带来了对高技能工程师和技术人员的竞争，同时也带来了对当地资源——主要是水和电力——的便利。同时，强大的本地基础设施以及设备和材料供应商（ASML、应用材料、蓝研研究等）的集中对两家公司都有利。

回到Fab 52，我们注意到英特尔18A 采用了低NA极紫外光刻设备，其曝光范围为0.33。这些扫描仪——尤其是ASML NXE：3600D 和NXE：3800E 型号——是同代现代系统，允许你形成关键特征尺寸。低NAEUV 技术用于最小层的带状FET 晶体管和PowerVia 金属化，而对于不那么关键的层，英特尔继续使用先进的DUV ArF 浸没系统。

尽管高NA 极紫外线（0.55 光圈） 已经在开发中，英特尔计划在18A 节点完全开发完成后才转向该技术——很可能用于英特尔14A 及以下。至于英特尔18A，低NA EUV 结合改进的校准算法、多重曝光和精确的相位校正，使得在不牺牲性能的前提下实现了所需分辨率。

回顾ASML（EXE：5000 系列）最顶级的高NA 极紫外光刻安装费用约为3.8 亿美元，安装和调试过程极其复杂且漫长。英特尔成为该光刻机的首个客户，该设备已在研究机构Fab D1X 中使用了一段时间。根据初步数据，英特尔18A 也将使用高孔径扫描仪进行实验，但此类设备将用于使用英特尔14A 工艺技术进行批量生产。

因此，低NA EUV 依然是英特尔向下一代架构——RibbonFET + PowerVia 转型的关键工具，在技术复杂性、生产线质量和制造成本效益之间取得平衡。

Fab 52 高度自动化。300 毫米硅片储存在特殊舱体（FOUP，前开通用舱）中，这些舱体通过架空输送系统在不同设备间移动。整个“烘焙”晶体过程涉及数百个技术作和过渡，因此组件物流在这里至关重要。注意房间照明的特征黄色。这在光刻领域被使用，因为黄色光的波长不会激活硅晶圆上涂层的感光聚合物（光刻胶）。

实现带状FET 和PowerVia 相比传统前馈FinFET技术，生产需要额外的技术步骤。带状FET 需要用“带状”替换经典的FinFET——即用栅极包裹的细通道。为了形成多层纳米带，需要通过生长或沉积多层硅的结构。还有一个高精度干蚀阶段，用于隔离单个丝带而不损坏相邻色带。在全套沉积时，金属门在带状结构的四周沉积，材料穿透狭窄通道并控制空腔的缺失。

PowerVia 的实现同样增加了技术复杂度。在这种情况下，基材厚度会减小，并对表面均匀度进行特殊控制。为了直接将功率传递到晶体管单元，使用了微观的纳米TSV（硅过孔）通道——这些极其细的导体作为微观“桥”，穿过一层薄硅，将背面的电源线与晶体管层连接起来。这些纳米 TSV 直接位于晶体管下方，以提供最短的功率路径。从技术角度看，创建此类通道的过程类似于“大型”水槽——等离子体蚀刻以制造空腔，涂覆壁面并用导体（铜）填充孔洞，但由于直径极小，常规过程变成了现代物理和工程学的极具挑战性的生产挑战。

5   Intel 18A工艺的良率

关于英特尔18A工艺技术的可用芯片的良率问题仍存在争议。英特尔未正式披露相关指标，声称当前产量符合当前生产阶段的计划内部指导方针，并且对首批产品的发布时间表充满信心。与此同时，英特尔首席财务官大卫· 津斯纳承认，收益率尚未达到预期盈利水平。根据非官方估计，这一数字可能在30% 至50% 之间波动，但这些数字也只是大致估计。英特尔预计芯片良率将继续与标准工艺改进曲线同步增长。研发团队设定了2025 年底的具体目标，鉴于当前缺陷率下降的趋势，期望的结果将实现。

到2026 年底，收益率应达到保证预期成本和正常利润率的水平。到2027 年，这些指标应达到成熟技术流程的行业产率标准（超过70%）。因此，尽管英特尔18A 目前的良率可能低于稳定且成熟的技术工艺，但足以推出首批商业产品并展示技术能力。

6 英特尔14A与向高NA EUV的过渡

虽然技术人员专注于提升适合英特尔18A芯片的良率，研发部门已积极研发下一代芯片——英特尔14A（1.4 纳米级）。该节点实现了更薄的技术规范，升级了带状FET 2 晶体管结构，PowerDirect 技术——PowerVia 的进一步发展，新的单元库以及更宽的阈值电压范围。一套不错的技术优化，既对自身生产也有需求，满足高要求客户的需求。

英特尔有信心能够提供具有极具竞争力的PPA（功率、性能、面积）解决方案，即性能、功耗和面积的比值。英特尔14A 的试点生产已计划于2027 年进行。技术标准和架构优化的进一步提升应当带来显著的实际成果。预计密度较Intel 18A 提升约30%。每瓦性能应提升15-20%，整体功耗应减少25-35%。

对于英特尔14A 最关键层的生产，高NA 极紫外光刻技术是不可或缺的。我们已经提到了安装此类设备的成本和复杂性。因此，向下一技术阶段的过渡将需要额外的财务成本。英特尔已经警告称，采用英特尔14A 技术生产芯片的成本将高于英特尔18A 节点的工艺。预测哪个组成部分会增加生产成本并不难。然而，即便如此，最先进的水晶仍会有客户。制造商能否根据新标准及时掌握并实现大规模生产的问题在这里依然具有重要意义。

甚至在英特尔14A 大规模部署之前，制造商就会推出一款针对更高功频比优化的Intel 18A-P 变体。据称，与基础版Intel 18A相比，每瓦性能提升高达~8%，同时保持设计规则的兼容性。随后还将推出Intel 18A-PT的变体，重点应用于复杂异构集成（芯片组垂直堆叠）的芯片，需要使用透硅通孔（TSV）。

7   英特尔Foundry的现状与未来

英特尔的制造部门已经不再只是为自己制造芯片的私有团队，从基辛格到陈立武，他们都坚信英特尔的制造部门应该可以用来为公司创造利润。虽然，目前还很少有英特尔这样的IDM 转型为代工厂的成功案例，但既然德州仪器也追随同样的路线，那么证明这条路并不是完全没有机会，特别是考虑到越来越多美国企业开始自己设计芯片，并且要求在美国本土生产。

为了评估半导体行业的前景和当前规模，我们呈现一张按技术标准和预计收入分布的示意图。据Counterpoint Research统计，仅在过去四年，合同制造领域参与者的全球收入增长了60%，从1050亿美元增长到1650亿美元。同时，超过50%的技术工艺仍由5纳米以上的工艺带来。此外，这里的更大比例是28+nm。这就引出了“过时”技术节点的相关性问题。

来源：Counterpoint Research

根据上半年业绩，合同制造市场的分布如下：台积电依然是无可争议的领头羊，其份额已超过 70%，并持续逐步增加 ;8% 属于三星代工，5% 分别属于 SMIC 和 UMC。GlobalFoundries 以 4% 的增长率进入前五名。其他所有成员合计占 8%。正如我们所见，目前英特尔未被列入相应评级，属于未具名的“其他”类别。

不过英特尔代工业务最尴尬的问题是，英特尔似乎更希望将Intel 14A 作为代工服务的主节点。虽然我们前面谈论了很多Intel 18A 的技术领先性以及其工艺节点看起来同台积电10 月刚量产的N2 工艺应该属于同一代，但是目前极少有重要的客户选择英特尔代工服务，而即使三星的泰勒工厂至少还有8 个月才能竣工，都已经拿到了百亿级别特斯拉订单。

目前所有Intel 14A 的客户消息都是感兴趣，更多的是台积电或三星两家企业美国工厂的备选项，而这其中绝大部分客户恰恰又是英特尔自己产品的潜在竞争者，不知道这种IDM+Foundry 模式是否影响力英特尔拿到客户订单，但有一点需要明确考虑，英特尔现在比较自信的18A 绝大部分研发工作是在基辛格任期实现的，而陈立武上台后压缩成本的策略对14A 的开发有多少影响是个大问号。

“4 年5 个节点”计划交出的成绩单应该说是差强人意的，但交出的经济账却很尴尬，甚至可能恰恰是制造业务的支出拖累了过去几年英特尔公司的整体财务情况，尤其是英特尔在业绩不断攀升的前提下利润在持续萎缩。

不得不承认技术债务是真实存在的，如果你短期内因为技术跟不上进度而省钱，最终你总是在不得不追赶时付利息。或者，你会倒闭。英特尔正是如此，它在短时间内因愚蠢、傲慢和诚实的错误而几乎变得无关紧要。

英特尔制造业务目前处境非常棘手，一边是工艺提升需要大量资本支出，一边是自己的处理器产品不断委托台积电代工割舍利润，究竟内部核算中制造业务部门是分摊了其他部门的开销，还是让其他部门摊销自己的额外支出，这点只有英特尔的财务人员知晓。难怪当被追问18A 的产能时，首席财务官津纳发言远远多于CEO 陈立武，津纳说了这样一句话：

“产量足以应对供应问题，但还不足以达到我们需要的水平，无法实现相应的利润率。到明年年底，我们很可能也会进入那个领域。而且，在那之后的一年，我认为他们的产量会达到行业可接受的水平。”

“我得告诉你，14A 我们开局非常好。如果你从14A 研发周期的角度来看，相对于同期的18A，我们在绩效和收益率方面都更好。所以我们在14A 的开端更为顺利。我们必须继续推进这些进步。”

有趣的是，英特尔表示其服务器CPU 业务目前供应受限，部分原因是其现有Xeon CPU 所用Intel 3 和Intel 4工艺的容量有限，以及基底材料短缺，这影响了所有芯片制造商。不过至强系列曾经是英特尔最引以为豪的产品线，但现在，他们甚至都无法被自家次级工艺所覆盖……

以下是津斯纳的说法，我们之所以详细引用他，是因为这很有道理：

“我认为有两种动态，其中之一是旧工艺的高成本与新工艺更优成本结构的对立。这显然意义重大。我的意思是，Foundry 已经进入了负毛利率的领域。如果你把它提升到积极的水平，那就是有意义的进步。”

“但我们毛利率的另一个方面，仅仅取决于产品质量。在产品性能和竞争力方面，我们对客户的表现还算不错，只有少数例外。但从成本角度来看，我们还没达到应有的水平。因此我们必须在这方面做出改进。我们已经把这列入了路线图。团队也认识到这一点，但这是多年过程才能实现的。”

“在数据中心方面更明显。我们不仅没有合适的成本结构，也缺乏足够的竞争力，无法真正从客户那里获得合适的利润率。所以我们在那里有工作要做。这正是立武和团队所追求、高度专注的，就是以合适的成本结构推出优质产品，从而提升毛利率。对我来说，这才是这一切的关键。”

“铸造厂方面的改进迟早会到来的，我想。我们会不断提高到Intel 4、3，然后是18A，最终达到14A。这些公司的成本结构其实相当相似。这也取决于这些前沿节点所提供的价值将显著增加，这将实质性地推动毛利率的提升。”

“我还想说的是，由于我们快速推进了大量新工艺，启动成本大幅增加。进入14A 时，步频会更正常。这样你就不会看到那么多启动成本叠加在一起，这会影响毛利率。这可是数十亿美元。所以我觉得随着时间推移，这些都会逐渐减少，也会有帮助。”

结合我们在文章开头所列举的，从UMC 到格罗方德，再到美光三星海力士，几乎所有的晶圆厂运营利润都在受益于AI 革命，英特尔却还在大谈成本摊销和利润。

也许从这一点我们能看到，英特尔可能会将18A 作为自家产品未来几年的主力节点，而14A 作为面向代工用户的先进节点，并且英特尔并不会像台积电一样，新工艺瞄准6 个月后开始贡献利润，而是可能将盈亏平衡点放在工艺推出后的24 个月之后，这可是不是代工业务传统的模式，难道陈立武真的在等待罗唯仁来拯救英特尔的制造业务吗？

噢，对了，英特尔制造业务现在最大的吸引力除了拥有国资背景之外，大概就是被成为美国半导体先进工艺最后底牌的EMIB 和Foveros 技术了，至于这两个技术能不能带得动英特尔的晶圆厂，感觉有点100 马力坦克的既视感。

（本文来源于《EEPW》202512）