MOSFET雪崩能量的应用考虑

　　在上述公式中，有一个问题，那就是如何确定IAS?当电感确定后，是由tp来确定的吗?事实上，对于一个MOSFET器件，要首先确定IAS。如图1所示的电路中，电感选定后，不断地增加电流，直到将MOSFET完全损坏，然后将此时的电流值除以1.2或1.3，即降额70%或80%，所得到的电流值即为IAS。注意到IAS和L固定后，tp也是确定的。

　　过去，传统的测量EAS的电路图和波形如图2所示。注意到，VDS最后的电压没有降到0，而是VDD，也就是有部分的能量没有转换到雪崩能量中。

　　图2 传统的EAS测量图

　　在关断区，图2(b)对应的三角形面积为能量，不考虑VDD，去磁电压为VDS，实际的去磁电压为VDS-VDD，因此雪崩能量为

　　(5)

　　对于一些低压的器件，VDS-VDD变得很小，引入的误差会较大，因此限制了此测量电路的在低压器件中的使用。

　　目前测量使用的电感，不同的公司有不同的标准，对于低压的MOSFET，大多数公司开始趋向于用0.1mH的电感值。通常发现：如果电感值越大，尽管雪崩的电流值会降低，但最终测量的雪崩能量值会增加，原因在于电感增加，电流上升的速度变慢，这样芯片就有更多的时间散热，因此最后测量的雪崩能量值会增加。这其中存在动态热阻和热容的问题，以后再论述这个问题。

　　雪崩的损坏方式

　　图3显示了UIS工作条件下，器件雪崩损坏以及器件没有损坏的状态。

　　图3 UIS损坏波形