一种用于线性稳压器的限流电路
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由此可知， 这种比较器低频增益为60db， PSRR约为160db， 当频率为1M时增益大于40db， 而PSRR大于80db， 所以比较器能够满足限流性能要求。
2. 3 基准源
基准源电路采用 倍乘基准自偏置电路。
图4中NMOS采用共源共栅结构， 用以降低电源波动对基准电流的影响。
图4 基准源电路。
由图可推得基准电流：
因为沟道调制效应对长沟道器件影响比对短沟道器件影响小， 因而在设计基准源及其相关电流镜时， MOS管的沟道长度为最小尺寸的15倍。同时利用dummy管和差指MOS 管等版图技术， 来进一步保证镜像过程中的电流匹配。
3 性能参数和结果
将以上设计的限流电路嵌入某稳压芯片(内含电荷泵电路) 中， 实现流片量产( CMOS 工艺)。当VDD = 3V时， 通过测量量产芯片得到输出电流极限数据。统计如图5所示， 可知当输出电流处于100~120mA 范围内时， 限流电路开始工作， 关闭系统即保护LDO 安全。由此可见， 本设计电路结构简单，功能可靠, 可广泛应用于电源芯片中。
图5 统计图
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