D类MOSFT在发射机射频功放中的应用
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2．1 全桥组态工作原理
图4所示为射频放大器的全桥组态，即四对MOS管用作开关。射频激励信号的相位情况是当射频功放模块接通时，这些开关中只有两个可以组合起来。并且，在激励信号的正半周，标示为0°的MOS管处于正半周，标示为180°的MOS管处于负半周。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/157734.htm
在射频周期的负半周，Ql／Q3和Q6／Q8处于截止状态，相当于开关断开；Q2／Q4和QS／Q7则是饱和导通的，相当于开关接通。Q2／Q4和QS／Q7串联导通电源电压为+V，若忽略MOS管的饱和压降，+V将全部降落在合成变压器上。在射频周期的正半周，Q1／Q3和Q6／Q8处于导通状态，Q2／Q4和QS／Q7为截止状态。Ql／Q3和Q6／Q8串联导通电源电压+V，+V全部降落在合成变压器上。由图4可见，合成变压器初级电压方波输出相差180°，说明输出电压的峰峰值为+2V。MOS开关的作用就是有效地将整个电源电压跨接在合成变压器的初级绕组上，在射频激励信号的每半个周期是反相的。作为全桥组态，输出就是两倍电源电压的射频输出。为了防止直流电压通过变压器的绕组通地，应在每部分的射频输出都串联有隔直电容C。
2．2 半桥组态工作原理
以Q1／Q3和QS／Q7的工作情况为例，其工作原理如图5所示。
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