saber下MOSFET驱动仿真实例

　　Q2的驱动电路中Rg=15，Q1的驱动电路中Rg=10，这样的目的是在讨论驱动电路中等效电阻的不一致(可能来自Rg本身不一致，也可能是线路不同，器件不同而造成的不一致)情况下，对串联MOSFET导通过程影响。观察Vd1和Vd2两点的波形，如图：

　　从图中可以明显看到，由于驱动电路参数不一致Rg1

　　一般MOSFET串联都需要动态和静态均压。静态均压见图中的MOSFET两端并联电阻，取值可以参考MOSFET手册中关断状态的漏电流，通过静态电阻的漏电流是通过MOSFET静态漏电流的6倍左右，太大会加大电阻静态损耗。

　　本设计中动态均压网络，采用TVS并联在MOSFET两端，起到保护作用。TVS管好像有点贵，也可以采用RCD网络。有人说，TVS并联起到的不是动态均压作用，只是瞬态保护作用，这也是有道理的。

　　TVS管选择，就是Vwm 大于电路正常工作电压，Vc小于电路额定最大工作电压。

　　采用TVS管保护电路前后，Vd1仿真波形对比图：

　　可以看到，加入TVS管后，尖峰脉冲的持续时间大大缩短。

　　MOSFET串联应用，在保证动态静态均压和驱动一致性的条件下，还要采用一些隔离技术和多路驱动技术，以保证多只MOSFET串联组成高压大功率高频开关。这方面这里就不再写了，希望大家指点