- 南韩第三大企业集团SK会长崔泰源近日来台，并前往鸿海土城总部与董事长郭台铭会面，双方畅谈近2小时。会后双方接受短暂访问时表示，此次主要是初步交流，瞭解有多少机会能进行合作，未来可能共同在台湾、中国、印度等地区发展，不过尚未谈到具体合作细节。
郭台铭表示，鸿海及SK集团1、2年前彼此有投资关系，过去已见面许多次，崔泰铭此次先前往中国再来访台湾，主要想看看两岸整体经济环境、寻找生意机会。这次崔泰铭首度来访，是想瞭解鸿海目前的营运状况，针对有多少机会能进行合作，于台湾、中国、印度、甚至是全世界发展，进
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鸿海 SK海力士
- 继三星电子(Samsung Electronics)之后，SK海力士(SK Hynix)也进军超高速固态硬碟(SSD)市场。将推出应用非挥发性存储器储存装置(NVMe)标准的SSD。
据韩媒Newsis报导，日前业界消息传出，SK海力士已投入量产NVMe架构的M.2规格SSD新产品“PC300”。容量512GB，该产品能让搭载的超轻薄笔记型电脑(NB)速度更快，电池更薄却待机更久，可望取代SSD。
所谓NVMe是PCIe架构的介面，让搭载SSD的伺服器、PC得以提升
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SK海力士 SSD
- 南韩存储器芯片业界将主导设备投资(CAPEX)竞争。在其他地区竞争业者担忧IT产品需求趋缓，而缩减设备投资规模时，三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韩企业将反其道而行，扩大投资并推动微细制程尖端化等，致力于研发新技术，未来在竞争中将更具优势。
据南韩Newstomatoa报导，英特尔(Intel)决定将2015年设备投资规模，从87亿美元缩减11.5%至77亿美元;台积电设备投资规模也从120亿美元减少约8%至110亿美元。因IT装置等终端产业
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三星 SK海力士
- 南韩存储器大厂SK海力士(SK Hynix)第二季财报逊于预期，分析师预估，由于个人电脑(PC)的DRAM需求持续疲软，SK海力士本季表现恐怕难有起色。
韩联社24日报导，SK海力士Q2营益为1.37兆韩圜(11.8亿美元)，不及分析师估计的1.44兆韩圜。NH Investment & Securities Co.分析师Lee Sae-chul指出，PC DRAM需求欠佳，8月份为止价格将持续下滑，到9月才会回稳，因此SK海力士Q3的DRAM营益会与前季持平;不过，下半年该公司的NAN
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- 清华紫光传出有意收购美光(Micron)消息后，韩国分析师认为，双方成交后对于韩国对手SK海力士(SK Hynix)影响不大，而且清华紫光提出价格偏低及政治因素，都是阻碍成交的因素。
据韩国时报(The Korea Times)报导，Hi Investment分析师Song Myeong-seop表示，由于存在诸多外部因素，短期内该收购案恐怕无法成真。即使最终清华紫光如愿买下美光，也只会对SK海力士造成轻微影响。
有分析师指出，SK海力士在DRAM技术上领先美光至少18个月，因此SK海力士
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清华紫光 SK海力士
- DRAM与NAND Flash市场预期下半年将持续荣景，主要设备厂商业绩也有望改善，三星电子和海力士获利最大。
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三星 SK海力士
- 过去的一年半以来，主要NAND快闪记忆体制造商已经开始销售1x奈米等级的平面快闪记忆体;根据我们调查开放市场上所销售元件的供应来源，美光(Micron)是从2014年2月开始供应1x奈米元件的第一家记忆体厂商，随后是在同年10月推出产品的SK海力士(Hynix)。在近六个月之后，TechInsights实验室才出现三星(Samsung) 16奈米与东芝(Toshiba) 15奈米产品。
针对平面NAND快闪记忆体的微影尺寸终点，在文献中已经有很多讨论;其替代方案是垂直堆叠式的快闪记忆体，例如三星
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- 南韩记忆体大厂SK 海力士 (SK Hynix )又传公安意外，造成三人丧命!SK海力士施工中的新厂氮气外泄，有三名工人窒息死亡，上个月该厂才有13名工人因气体外泄送医。
etnews、 韩国先驱报(The Korea Herald)、路透社报导，SK海力士的M14仁川工厂十楼，30日发生氮气外泄事故。该公司称，工人正在测试刚安装好的湿式空气清净系统，可能因此窒息死亡。氮气没有毒性，但是密闭空间中氮气外泄，会导致含氧量会迅速减少，危险性极高。
M14仁川厂三月份才发生过类似意外，当时有13
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SK海力士 M14
- 中国扶植自有DRAM供应链计划浮上台面，业界透露中国将分三个阶段着手，包括扶植大型集团建立自有技术、高关税逼迫国际大厂合作、强制品牌系统厂采用， 由于上一轮全球DRAM市场崩盘是在2008年发生，业界直指十年一劫的DRAM淘汰赛恐将在2017年再度引爆，对于既有DRAM业者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小冲击。
半导体业者表示，中国建立DRAM产业最难解问题，似乎是如何取得被三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大厂所把持的DRAM技术，然事实上，中
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- 南韩业者来势汹汹，在半导体产业实力日益壮大!外传三星电子(Samsung Electronics)靠着先进制程抢走台积电 (2330)不少大单，如今IHS Technology数据又显示，南韩记忆体大厂SK 海力士 (SK Hynix )踢下美光(Micron Technology)，晋身全球第四大晶片制造商。
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SK海力士 美光
- SK海力士(SK Hynix)中断生产30纳米级DRAM，全面进入20纳米级生产时代。据了解，SK海力士在4年前才首度采用38纳米制程生产DRAM，不过到2015年第1季，生产效率比30纳米级制程更高的25纳米DRAM制程比例，已高达全体生产的82%。
韩媒Digital Times报导，日前业界消息传出，SK海力士的38纳米制程到2014年第4季为止，约占全体DRAM生产比例的8%，但从2015年第1季开始已全面转进20纳米级制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30纳米级
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SK海力士 DRAM
- SK海力士(SK Hynix)抢进20奈米级制程进展迅速!韩媒报导，SK海力士引进38奈米制程，已在四年后停止30奈米级生产，全数转为20奈米级制程。
韩媒BusinessKorea 13日报导，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程约占该公司DRAM生产的8%，预计今年下半改为2z DRAM(20奈米级)制程。业界消息称，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士总生产的82%。DRAMeXchange预估，SK海力士将在今年Q3进入2z制程，明年迈上轨道。
相较之下，30奈米制程仍占美光
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SK海力士 20nm
- SK海力士(SK Hynix)抢进20奈米级制程进展迅速!韩媒报导，SK海力士引进38奈米制程，已在四年后停止30奈米级生产，全数转为20奈米级制程。
韩媒BusinessKorea 13日报导，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程约占该公司DRAM生产的8%，预计今年下半改为2z DRAM(20奈米级)制程。业界消息称，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士总生产的82%。DRAMeXchange预估，SK海力士将在今年Q3进入2z制程，明年迈上轨道。
相较之下，30奈米制程仍占美光
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三星 SK海力士
- 韩系半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将扩大非存储器领域的晶圆代工事业。三星电子(Samsung Electronics)采14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程推动晶圆代工事业发展，SK海力士将把焦点放在8吋90纳米制程，以架构少量生产多元系统芯片的生产系统。
据ET News报导，为扩大专门提供晶圆代工服务的清州M8厂可生产的芯片种类，SK海力士着手重新调整产线。
M8厂主要生产CMOS影像传感器(CIS)、电源管理芯片(PMIC)、显示器驱动芯片(DDI)等。过去也曾生产N
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物联网 SK海力士
- SK海力士(SK Hynix)成立3年便进入营业利益5兆韩元具乐部(约45.3亿美元)，成为SK集团(SK Group)的当红炸子鸡。目前正着手系统芯片研发，同时积极购并企业以掌握必要的技术力。中长期目标便是成为综合半导体企业。
根据韩媒AsiaToday的报导，SK海力士的业绩已经超越SK集团的传统主力企业SK Innovation与SK电信(SKT)，将2家公司2014年的营业利益合并计算后，得到的数值只有SK海力士营业利益的4分之1。
SK海力士在成立第1年虽然有超过2,000亿韩元
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SK海力士 存储器
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