- 继三星之后，SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM，在 1x DRAM 开发完成后，SK 海力士将继续研发 1y DRAM，并为发展 1z DRAM 铺路。
来自产业界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 开发代号设为 Alius，已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样，正要在进行可靠度认证。
半导体认证通常需将过工程试样(Engineering sample)与客户端式样(Customer sample)两道程序，在通过客户测试后，产品开发才算完成。据报
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SK海力士 DRAM
- 随着2017年固态硬碟(SSD)占NAND Flash应用比重将挑战40%，全球储存领域异业整合风潮将迈向另一个高峰，继硬碟龙头厂西部数据(Western Digital;WD)购并NAND Flash存储器大厂闪迪(SanDisk)，近期传出SK海力士(SK Hynix)将与希捷(Seagate)策略联盟成立合资公司，专攻企业云端SSD市场，成为握有HDD和SSD两大储存产品的新阵营，挑战既有霸主三星电子(Samsung Electronics)及英特尔(Intel)，未来云端SSD可望是NAND
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SK海力士 希捷
- 硬盘大厂争相与Flash厂商结盟，全球存储器产业链供货、版图又将迎来什么样的变化?
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希捷 SK海力士
- 据韩国经济报导，传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证，最快将从11月底正式启动量产;以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片，3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。
业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外，其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技术瓶颈，SK海力士将是第二家进入量产的业者。
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SK海力士 NAND
- 据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
- 据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
- 传闻2017年SK海力士(SK Hynix)将在利川12吋晶圆厂(M10)量产1,300万画素CMOS影像感测器(CIS)，并减少清州8吋晶圆厂(M8) 的低画素CIS产量，M8厂空出的产能将进行代工生产显示器驱动IC(DDIC)、电源管理IC(PMIC)等系统半导体，全力发展非存储器半导体事业。
据韩媒ET News报导，SK海力士的非存储器半导体事业发展方向日前定案，已进入执行阶段;SK海力士并以45亿韩元(约397万美元)向子公司Silicon File取得相关资产设备。Silicon F
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SK海力士 CIS
- 韩国第二大存储器厂SK 海力士周二公布第三季获利尽管大减近五成，但仍优于市场预期，激励股价盘中走扬。
海力士7-9月营业利润赚进7,259亿韩圈(6.41亿美元)，虽然较去年同期降低47.5%，但高于路透社调查预估的6,720亿韩圈。如与前季相比，营业利润跳增60.3%，较能反映存储器近期价格回涨。 当季营收来到4.2兆韩圈，较去年同期衰退13.8%。受财报利多消息激励，海力士早盘于韩股盘中劲扬3.11%、暂报41,400韩圈，今年迄今累计涨幅达34.8%。
海力士在声明稿上表示，电脑存储
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SK海力士 存储器
- SK海力士(SK Hynix)与美国史丹佛大学(Stanford University)以及相关设备及材料业者合作，将共同研发结构类似人类脑神经构造的新半导体元件，期盼能提升巨量资料(Big Data)的运算速度，加速人工智能(AI)时代来临。
据韩国经济报导，日前SK海力士与美国史丹佛大学签约，将合作研发利用铁电材料(Ferroelectrics)的人工神经网路半导体元件(Artificial Neural Network Devices)。这项研究计划的参与单位还包括半导体设备业者科林研发(
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SK海力士 半导体
- 据海外媒体报道，存储器价格超夯，今年至今韩厂SK 海力士 (SK Hynix )已经飙升35%，部分外资相当乐观，预言还有20%上行空间。
巴伦(Barronˋs)14日报导，DRAM价格上涨，带动SK海力士一路攀高。DRAMeXchange预估，第三季DRAM价格将季增9%，第四季价格可能会再飙将近30%。有鉴于此，摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估计，SK海力士股价可望续涨20%。
大摩报告称，时序迈向Q4，DRAM和NAND价格表现都优于预期，也胜过SK海力士的预估。DRAM投
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SK海力士 存储器
- 据海外媒体报道，SK海力士(SK Hynix)计划在韩国利川12吋晶圆厂M10上投产CMOS影像传感器(CIS)一事备受外界关注。分析指出，SK海力士将能强化自家CIS事业竞争力，并有望在目前正在更迭的市场版图上取得甜头。
韩媒ETNews报导指出，SK海力士此举代表着，想要正式挑战非存储器市场的企图心。过去这段期间，SK海力士不断苦恼着，在利川12吋新厂M14启动后，该如何使用M10厂。因为如果将M10 DRAM生产量移转至M14，M10里的产线将会闲置。虽然SK海力士曾经表示过，M10之后可
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SK海力士 CIS
- 韩国NAND Flash大厂SK海力士(SK Hynix)积极建立芯片设计团队，继买下美系NAND Flash设计公司LAMD后，近期更出手买下USB 3.0设计厂银灿旗下内嵌式存储器(eMMC)部
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SK海力士 银灿eMMC部门
- 东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决
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SK海力士 东芝
- 南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
- 全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示， 2014年第二季全球 DRAM 产值达108亿美元，较上季成长9%。由于产品比重调配得宜，三
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第二季 全球 三星 SK海力士
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