很显然内存市场的需求依然很淡，不少消费者依然没有出手，当然还是觉得厂商能继续降价。调研机构TrendForce现发布了最新的研究报告，表明目前DRAM现货报价仍在保持下跌的趋势，主要买家对未来皆抱持跌价心态，整体市况仍因大环境因素影响价格难以止跌。具体来说：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交价在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE报价下调至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即将到货而降至 2.00~2.03 美元。
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内存 DRAM，三星 SK海力士
IT之家 9 月 10 日消息，近年来，CMOS 图像传感器在工业应用中变得愈发重要。比亚迪半导体近日宣布推出一款工业级全局快门 CMOS 图像传感器芯片 ——BF3031。BF3031 是比亚迪半导体采用 Global shutter 技术研发生产的一款 1/3 英寸的 50 万像素图像传感器芯片，支持并行和 MIPI 数字输出接口，有效像素阵列为 838×640，最大帧速率为 120fps@full。比亚迪半导体表示，相较于 Rolling shutter，Global shutter 可有效解决物体
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全局快门 CMOS 比亚迪
索尼发布了一段视频，解释了全局快门和卷帘快门传感器的优缺点。简单来说，全局快门的优势在于高速摄影，拍摄高速移动物体时不会失真（果冻效应），但在低噪点、像素损失、高感、动态范围等方面，均弱于卷帘快门（如果全局快门算“良好”，那卷帘快门就是“优秀”）。这大概也就解释了，为什么迟迟没有采用全局快门的消费级相机面市，毕竟，为了高速摄影而要牺牲画质，有些得不偿失。目前市面上的速度机，主要通过提高传感器读出速度来抑制运动失真。
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全局快门 CMOS
IT之家 8 月 25 日消息，当地时间 8 月 24 日，豪威集团宣布发布了业界首款也是唯一一款三层堆叠式 BSI 全局快门（GS）图像传感器 OG0TB。 豪威表示，这款超小尺寸图像传感器用于 AR / VR / MR 和 Metaverse（元宇宙）消费设备中的眼球和面部跟踪，封装尺寸仅为 1.64 毫米 ×1.64 毫米，采用 2.2 微米像素尺寸和 1/14.46 英寸光学格式（OF）。 此外，这款 CMOS 图像传感器具有 400×400 分辨率和超低功耗。豪威数据显示，OG0TB BS
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全局快门 CMOS
IT之家 11 月 10 日消息，长光辰芯宣布推出 GMAX 系列最新产品- GMAX4002，进一步丰富 GMAX 小面阵 CMOS 产品线，为小面阵工业相机提供更多选择。GMAX4002 采用 4um 电荷域全局快门像素设计，有效分辨率为 2048 (H) x 1200 (V)，可以被广泛用于定位、检测、识别等多种视觉应用场景，同时也是读码器、ANPR 等应用的理想选择。 得益于 4um 像素设计，GMAX4002 满阱容量为 12 ke-，读出噪声小于 2.3e-，使得其最大动态范围为 68.
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全局快门 CMOS
作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的软件工程师宣布了一款专为 SSD 和持久内存设计的开源存储引擎 HSE，这是一款快速键值存储数据库。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依赖于对 Linux 内核的修改，改为完全基于用户空间的解决方案。本周，美光发布了 HSE 3.0 开源存储引擎，带来了更多功能改进。据介绍，HSE 3.0 改进了数据管理，提高了各种重要工作负载的性能。此外，HSE 3.0 引擎围绕具有单调递增键（例如时间序列数据）的工作负载、多客户端工作负载、将压缩和未压缩值存储
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美光 SSD DRAM HSE
本实验活动的目标是进一步强化上一个实验活动 “ADALM2000实验：使用CD4007阵列构建CMOS逻辑功能” 中探讨的CMOS逻辑基本原理，并获取更多使用复杂CMOS门级电路的经验。具体而言，您将了解如何使用CMOS传输门和CMOS反相器来构建D型触发器或锁存器。背景知识为了在本实验活动中构建逻辑功能，需要使用 ADALP2000 模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成
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ADI CMOS
荷兰 埃因霍温，中国 济南，2022年11月15日——业界领先的环境和高精度流量和时间测量传感芯片厂商睿感（ScioSense）今日宣布，推出采用紧凑型封装的内置温度传感器的超低功耗压力传感器--ENS220，可提供卓越的测量速度、分辨率和精度。 ENS220将在慕尼黑电子展（electronica，11月15-18日慕尼黑）B3.419号ScioSense展台展出。 该传感器采用业界主流的2.0mm×2.0mm尺寸LGA封装，适用于移动设备和可穿戴设备，如智能手表和腕带、GPS导航系
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睿感 ScioSense CMOS-MEMS 压力传感器
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SK海力士 移动端 DRAM HKMG
IT之家 11 月 9 日消息，根据最新的报告，三星电子在全球 DRAM 市场的份额已跌至八年来的最低点。据 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日发布的报告，第三季度全球 DRAM 市场销售额为 179.73 亿美元（当前约 1301.25 亿元人民币），较第二季度的 254.27 亿美元下降 29.3%。三星电子的 DRAM 销售额从第二季度的 111.21 亿美元下降到第三季度的 73.71 亿美元（当前约 533.66 亿元人民币
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三星 DRAM
本周美光宣布，采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。 1β工艺可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上，单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。 一个值得关注的点是，美光称，1β绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 这意味着相较于三星、SK海力士，美光需要更复杂的设计方案。毕竟，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目
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美光 DRAM 内存芯片 光刻机 EUV
11 月 2 日消息，据国外媒体报道，受电子消费品续期下滑影响，当前全球存储芯片市场并不乐观，DRAM 与 NAND 闪存的需求和价格都有下滑，三星电子、SK 海力士等存储芯片制造商的业绩，也受到了影响。虽然存储芯片市场整体的状况并不乐观，但部分领域的需求，却在不断增长。研究机构在最新的报告中就表示，服务器 DRAM 的需求在不断增长，在今年有望首次超过智能手机、平板电脑等移动设备对 DRAM 的需求。研究机构在报告中预计，今年全球服务器对 DRAM 的需求，会达到 684.86 亿 GB，智能手机、平板
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DRAM 市场
当地时间11月1日，美光宣布正在向选定的智能手机制造商和芯片组运送其1β DRAM技术的合格样品合作伙伴，并已通过世界上最先进的DRAM技术节点实现了量产准备。据官方介绍，美光于2021年实现1α LPDDR5X DRAM批量出货，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每区储存的位元数也增加35%。美光表示，随着LPDDR5X的出样，移动产品将率先从1β DRAM 的提升中获益，提升新一代智能手机的性能的同时，消耗更少的电力。美光DRAM程序整合部门副总裁Thy Tran表示，新版
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功率效率 美光 1β DRAM
2022年11月2日——中国上海——内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，其采用全球最先进技术节点的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证，并做好了量产准备。美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术，其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升，将为市场带来巨大收益。除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高
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美光 1β技术节点 DRAM
cmos.dram介绍
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