关键优势：● 随着 CPU 内核数量不断增加，改进后的内存架构相比 DDR4[1] 可将带宽提高近一倍，进而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高达 64GB 的模组容量，能够支持内存密集型工作负载[4]● DDR5 的创新架构改进和模组内建电源管理功能，有助于优化系统整体运行性能 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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美光 数据中心 DRAM DDR5
近日，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）推算，韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为：DRAM的差距约为 5年，NAND 的差距约为2年。该研究院分析，中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半，两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测，在NAND闪存领域，中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
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DRAM NAND
全球范围看，2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元，增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市场规模约占56%，NAND Flash市场规模约占41%（IC Insights数据）。另外，根据CFM 闪存市场预计，2021年全球存储市场规模将达1620亿美元，增长29%，其中DRAM为945亿美元，NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近，相差100亿美元。目前，全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
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存储芯片 DRAM NAND Flash
光，是人类永恒的话题。当80万年前第一团人造火在人类中生起，剧烈的氧化反应为阒寂的黑夜中带来了光与热。从此，光与暗便有了区别，人类不用在寒冷的长夜中等待夜阑。光，将人类聚集在一起，它吸引人类，同时也引导人类，暗夜不再骇人，星空从此璀璨。不知何时，一个智人，在火光的照映下，抬头仰望这星瀚。“我是谁，我从哪里来，又要到那里去？”他无法回答这些问题，但是在这团微弱火光之下，他已经迈出了人类科学的第一步——好奇与思考。 “景。光之人，煦若射，下者之人也高；高者之人也下。足蔽下光，故成景于上
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CMOS CCD 摄影 相机 历史
国内半导体储存器行业市场前景及现状如何?半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支：半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，根据功能的不同，集成电路又可以分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等细分领域。2022半导体储存器市场调研半导体储存器行业前景及现状分析 国内开始布局存储产业规模化，中国大陆的存储器公司陆续成立，存储产业也取得明显的进展。在半导体国产化的大趋势下，国内存储器行业有望迎来新的发展和机遇。 半导体储存器行业产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网
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存储 DRAM 市场
根据TrendForce最新研究显示，尽管今年上半年的整体消费性需求快速转弱，但先前DRAM原厂议价强势，并未出现降价求售迹象，使得库存压力逐渐由买方堆栈至卖方端。在下半年旺季需求展望不明的状态下，部分DRAM供货商已开始有较明确的降价意图，尤其发生在需求相对稳健的服务器领域以求去化库存压力，此情况将使第三季DRAM价格由原先的季跌3至8%，扩大至近10%，若后续引发原厂竞相降价求售的状况，跌幅恐超越一成。PC OEM仍处于连续性下修出货展望，且综观各家DRAM库存水位平均超过两个月以上，除非有极大的价格
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TrendForce DRAM
据TrendForce研究，尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑，第三季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响，进而使得整体DRAM库存上升，成为第三季DRAM价格下跌3～8％的主因，且不排除部分产品别如PC与智能型手机领域恐出现超过8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持续走弱情况下，引发PC OEMs下修整年出货目标，同时也造成DRAM库存快速飙升，第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存，采购力道尚难回温。同时，由于整体DRAM产业仍处于供过于求，因此即便
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TrendForce DRAM
SK海力士宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片，从开发成功到量产仅用七 个月HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accelerated computing）SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位* HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存
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SK海力士 英伟达 HBM3 DRAM
源极和漏极之间的关断电容CDS(OFF)可用来衡量关断开关后，源极信号耦合到漏极的能力。它是固态继电器（如PhotoMOS®、OptoMOS®、光继电器或MOSFET继电器）中常见的规格参数，在固态继电器数据手册中通常称为输出电容COUT。CMOS开关通常不包含此规格参数，但关断隔离度是表征相同现象的另一种方法，关断隔离度定义为，开关关断状态下，耦合到漏极的源极的信号量。本文将讨论如何从关断隔离度推导出COUT，以及如何通过它来更有效地比较固态继电器和CMOS开关的性能。这一点很重要，因为CMOS开关适合
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ADI CMOS
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
内存大厂华邦电日前宣布扩大利基型DDR3产出，争取韩系DRAM厂退出后的市占率，推升营收及获利续创新高。华邦电自行开发的20奈米DRAM制程，将于明年导入至高雄厂量产，为长远发展奠定良好的基础与成长动能，同时满足5G基地台、人工智能物联网（AIoT）、电动车及车用电子、元宇宙等产业大趋势强劲需求。华邦电第一季迎来利基型DRAM价格回升，SLC NAND及NOR Flash价格回稳，季度营收265.14亿元为历史次高，归属母公司税后净利年增近1.9倍达45.59亿元并创下历史新高，每股净利1.15元优于预期
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DRAM 华邦电 AIoT 元宇宙
2022年5月10日 ，作为先进内存技术的厂商，三星宣布开发出三星首款512 GB 内存扩展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商业化迈出了重要一步，CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。三星半导体512GB 内存扩展器 CXL DRAM与以往版本相比，新开发的CXL内存容量为其4倍，从而让服务器扩展至数十TB，而系统延迟仅为其五分之一三星还将推出其开源软件工具包的升级版本，以推动CXL内存在现有和新兴IT系统中的部署自2021年5月推出三星首款配备
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三星 内存扩展器 CXL DRAM
KAC-12040 图像传感器是一款高速 1200 万像素 CMOS 图像传感器，为基于 4.7 μm 5T CMOS 平台的
4/3" 光学制式。该图像传感器具有非常快的帧速率、卓越的 NIR 灵敏度以及灵活的读取模式，且具有多个兴趣区 (ROI)。该读取结构可使用
8、4 或 2 个 LVDS 输出组，达到全分辨率每秒 70 帧的速度。每个 LVDS 输出组均有最多 8 个在 160 MHz DDR
下运行的差分对组成，每组 320 MHz
数据速率。该像素结构允许卷帘快门运
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KAC-12040 CMOS 图像传感器
该 3.1 百万像素传感器采用安森美半导体的 A-Pix™ 技术，通过全新的 2.2
微米像素传感器的卓越性能满足了不断发展的、以全高清视频为中心的监控市场的需求。AR0331 具有卓越的图像质量，其目标为 1/3
英寸光学格式监控摄像头主流市场。该传感器让监控摄像头制造商能够将性能升级到当前的 3
百万像素传感器设计，它带有业内最佳的功能集，将全高清视频和宽动态范围 (WDR) 功能以及内置的自适应局部色调映射相结合。这种新型传感器可在
60 fps 的速度下提供高达 1080p 的高清
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AR0331 CMOS 图像传感器
如今，随着商家的引导以及消费者的实际需求，手机摄像头的传感器越来越大，不少高端机型的CMOS图像传感器（CIS）尺寸已接近1英寸。根据长度换算，1英寸约等于25.4mm，不禁有人会疑惑，一个手机才几英寸？图像传感器有那么大么？是不是商家在虚假宣传？本期我们就来简单介绍一下CIS这个1英寸到底是什么？图像传感器尺寸是什么？一般来说，CIS的感光区域为一个较为规则的长方体，我们说的尺寸是指感光区域对角线的长度，再将其换算为英制单位，也就是英寸。这个方式与我们计算手机尺寸类似，说的尺寸指的都是对角线的长度。但是
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CMOS 图像传感器
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