- 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。SK海力士强调“公司继去年6月全球首次量产HBM3 DRAM后，又成功开发出容量提升50%的24GB套装产品。”,“最近随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，公司将从今年下半年起将其推向市场，以满足
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SK海力士 堆叠HBM3 DRAM
- 据媒体报道，尽管消费性电子应用需求复苏缓慢，但华邦电总经理陈沛铭指出，第二季与客户洽谈合约价格已看到止稳迹象。华邦电是一家利基型存储器IC设计、制造与销售公司，其产品包括利基型存储器（Specialty DRAM）、行动存储器（Mobile DRAM）以及编码型闪存（Code Storage Flash Memory）。存储器产品主要以DRAM、NAND Flash为主。从产品价格上看，在NAND
Flash方面，此前据TrendForce集邦咨询3月30日调查指出，即便原厂持续进行减产，然需求端如服
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利基型 DRAM
- 图像传感器是数字成像系统的主要组成部分之一，对整体系统性能有很大影响。图像传感器的两种主要类型是电荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中，我们将了解 CMOS 图像传感器的基础知识。图像传感器是数字成像系统的主要组成部分之一，对整体系统性能有很大影响。图像传感器的两种主要类型是电荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中，我们将了解 CMOS 图像传感器的基础知识。查看我们的电荷耦合器件 (CCD) 图像传感器系列。您可以从CCD 的结构和功能入手。CMOS 光电探测器大多数
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CMOS，图像传感器
- TrendForce集邦咨询表示，由于部分供应商如美光（Micron）、SK海力士（SK
hynix）已经启动DRAM减产，相较第一季DRAM均价跌幅近20%，预估第二季跌幅会收敛至10~15%。不过，由于2023下半年需求复苏状况仍不明确，DRAM均价下行周期尚不见终止，在目前原厂库存水位仍高的情况下，除非有更大规模的减产发生，后续合约价才有可能反转。PC DRAM方面，由于买方已连续三季大减采购量，目前买方的PC DRAM库存约9~13周，而PC
DRAM原厂已进行减产，TrendForce集
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DRAM 止跌 TrendForce
- 早在去年 9 月，IC Insights 发布研究报告称，预测 2022 年全球 CMOS 图像传感器市场将迎来市场出现的 13 年以来的首次下滑。近日，市场调研机构 Counterpoint Research 公布的结果印证了这点，2022 年全球 CIS 市场的销售达到 190 亿美元，同比下滑了 7%。从细分领域来看，一直以来是 CIS 市场增长最大动力的智能手机占整个 CIS 市场份额跌破 70%，下滑明显；与此同时监控、PC 等市场需求也正在下滑，而汽车和工业的份额则有明显上升。因为整体市场的萎
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CMOS 韦尔半导体 格科微 思特威
- 当前，由于消费电子市场需求持续疲弱，当前存储器卖方面临库存高企压力，以DRAM和NAND Flash为主的存储器产品价格持续下探。为避免存储器产品再出现大幅跌价，多家供应商已经开始积极减产，尽管2023年第一季价格跌幅将有所收敛，但集邦咨询仍预估当季DRAM价格跌幅将达13~18%，NAND Flash均价跌幅为10~15%。对于第二季DRAM产业市况发展，近日，南亚科和华邦电给出了各自的看法。李培英：下半年市况将有所好转南亚科总经理李培英认为，受高通货膨胀与供应链不顺影响，今年上半年将是DRAM市况最差
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DRAM 存储
- 华邦消费性电子应用需求回温本季是谷底；南亚科上半年跌幅收敛。
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DRAM NAND
- 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌，加上库存水位过高，终端消费支出持续放缓，据外电消息，韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出，南亚科（2408）及华邦电（2344）因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑，第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导，三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出，截至去年第四季，整体库存资产达到52.2兆韩元（约折合399亿美元），远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中，占三星营收比重最高的半导
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存储器 DRAM NAND Flash
- 近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
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3D DRAM 存储器
- 存储模组大厂威刚认为，以供给面而言，DRAM供给相对单纯且市场库存水位较低，看好DRAM价格回温时间可望早于NAND
Flash。目前消费性需求尚未全面复苏，第一季DRAM与NAND
Flash合约价仍有小幅下跌压力，但存储器中下游业者库存调整已历经近一年时间，并也降至相对健康水位，因此只要存储器价格明确落底，市场备货需求将可望快速启动，加速产业供需平衡。威刚预估，第一季营收走势可望逐月走升，第二季优于第一季，下半年可望明显回升，宇瞻则认为，DRAM上半年仍会处于供过于求，但在原厂减产、减少资本支
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存储模组 威刚 宇瞻 DRAM
- 据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。与现有
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存储 3D DRAM
- IT之家 3 月 13 日消息，豪威集团现已发布用于消费类安防和监控摄像头的新型高性能、低功耗 2K 400 万像素图像传感器。豪威表示，这款 400 万像素图像传感器为 IP 摄像头和高清模拟安防摄像头（包括智能家居、门铃和婴儿监控设备）提供 2K 分辨率的数字图像和 30 帧 / 秒的视频。▲ 图源：豪威IT之家从豪威官方得知，OS04D CMOS 图像传感器采用高性能背照式（BSI）像素设计，与上一代产品相比，功耗降低 40%，信噪比（SNR1）提高 30% 以上，灵敏度增加 4
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豪威 cmos
- 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
- 在上期的芝识课堂中，我们和大家简单认识了逻辑IC的基本知识和分类，并且特别提到CMOS逻辑IC因成本、系统复杂度和功耗的平衡性最好，因此得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解CMOS逻辑IC的基本操作。什么是CMOS呢？使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET来实现逻辑功能。其中由一对p沟道和n沟道MOSFET组成的逻辑门称为反相器。图1是一个基本的逻辑IC结果示意，图2用流程图的形式，简要介绍了反相器的操作。图1 CMO
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东芝 CMOS
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