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gan fet 文章

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
  • 关键字: Nexperia  GaN FET  氮化镓功率器件  MOSFET 器件  

CISSOID与国芯科技签署战略合作协议

  • 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布:在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上,公司与湖南国芯半导体科技有限公司(简称“国芯科技”)签署了战略合作协议,将携手开展宽禁带功率技术的研究开发,充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势,并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来,宽禁带半导体功率器件(如碳化硅SiC和氮化镓GaN等)凭借多方面的性能优势,在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而,在各类应用中
  • 关键字: IGBT  SiC  GaN  

Cree积极扩厂开发功率及射频元件,GaN on SiC磊晶技术发展待观察

  • 全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元,SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力,决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市,扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory),期望借此扩建案,提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占,并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
  • 关键字: Cree  射频  GaN on SiC磊晶技术  

对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案

  • 电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流(BLDC)解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。另一方面,三相BLDC配置需要三个半桥或至少六个场效应管(FET),因此从有刷电流转向无刷电流意味着全球电动工具FET总区域市场增长了3到6倍(见图1)。图1:从有刷拓扑转换到无刷拓扑意味着FET数量出现了6倍倍增但BLDC设计在这些FET上提出了新的技术要求。例如,若电路板上FET的数量6倍倍增
  • 关键字: FET  BLDC  

支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术

  • 两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高(和降低)。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性,同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看,您必须至少对其中的部分因素进行权衡,但德州仪器正通过所有这些优势实现设计,同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本,并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半,到为并
  • 关键字: 德州仪器  600V氮化镓(GaN)功率器件  

MACOM和意法半导体携手合作提高硅基GaN产能,支持5G无线网络建设

  •   MACOM Technology Solutions Holdings公司(纳斯达克股票代码:MTSI) (以下简称“MACOM”)和意法半导体(纽约证券交易所股票代码:STM))(以下简称“ST”)于25日宣布,将在2019年扩大ST工厂150mm 硅基GaN的产能,200mm硅基GaN按需扩产。该扩产计划旨在支持全球5G电信网建设,基于2018年初 MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。  随着全球推出5G网络并转向大规模MIMO(M-MIMO)天线配置,射频RF功率产品需求预计
  • 关键字: MACOM  GaN  

MACOM推出宽带多级硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模块 具备灵活安装性能,实现领先的设计敏捷性

  •   全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块,扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 产品组合。该宽带PA模块经过优化改良,适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM) 领域。MAMG-100227-010 PA模块兼具50Ω 全匹配、 两级PA架构的高效设计,以及顶端和底端安
  • 关键字: MACOM  GaN  

GaN逐步向RF领域的发展之路

  • 目前,氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用,其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透,而且对射频/微波行业的影响越来越大,不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的应用。虽然GaN通常与功率放大器(PA)相关度很高,但它也有其他用例。自推出以来,GaN的发展历程令人瞩目,随着5G时代的到来,它可能会更加引人关注。
  • 关键字: GaN  RF  

射频前端市场潜力巨大 GaN发展优势明显

  • 目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备,如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si,射频(RF)开关主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料,从目前的材料工艺角度来看,主要针对5G的Sub-6GHz范围。以PA为例,许多业内人士认为,GaN技术的运用将能为PA带来高效低功耗的优势。
  • 关键字: 射频  GaN  

盘点2018年全球电子产业最具代表性的十大“黑科技”

  • 今年整个产业在技术上也是节节攀升,2018年可以说是产业高速发展的一年,全球电子产业也产生了众多技术突破。
  • 关键字: 芯片,GaN  

第三代半导体又有新成员?氧化镓有什么优点?

  •   目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高,它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面,会有非常广阔的发展前景。  然而,SiC和GaN并不是终点,最近,氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野,凭借其比SiC和GaN更宽的禁带,该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此,近几年关于氧化镓的研究又热了起来。  实际上,氧化镓并不是很新的技术,多年前就
  • 关键字: 半导体  SiC  GaN  

看看国外厂商正在发力研究的这些新技术

  •   每年十二月,在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛,在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting,缩写:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
  • 关键字: DRAM  GAA-FET  

QORVO®凭借行业首款28 GHZ GAN前端模块增强其5G领先优势

  •   移动应用、基础设施与航空航天应用RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)凭借行业首款 28 Ghz 氮化镓 (GaN) 前端模块 (FEM) --- QPF4001 FEM,扩大了其 5G 业务范围。在基站设备制造商涉足 5G 之后,这款新 FEM 可以帮助他们降低总体系统成本。  据 SNS Telecom & IT 介绍,28 GHz 频段是早期基于 5G 的固定无线接入 (FWA) 部署的首选频段,使运营商能够满足 5G 对速度、延迟、可靠性和容量的
  • 关键字: QORVO  GAN  

德州仪器用2000万小时给出使用氮化镓(GaN)的理由

  •     在多伦多一个飘雪的寒冷日子里。  我们几个人齐聚在本地一所大学位于地下的高级电力电子研究实验室中,进行一场头脑风暴。有点讽刺意味的是,话题始终围绕着热量,当然不是要生热取暖,而是如何减少功率转换器产生的热量。我们已经将MOSFET和IGBT分别做到了极致,但是我们中没有人对此感到满意。在这个探讨过程中,我们盘点了一系列在高压环境中失败的设备。  在那个雪花漫天飞舞的日子里,我们聚焦于选择新方法和拓扑,以寻求获得更高的效率和密度,当然也要找到改进健全性的途径。一位高级研究员帮助总
  • 关键字: 德州仪器  GaN  

尺寸减半、功率翻番!——氮化镓(GaN)技术给机器人、可再生能源和电信等领域带来革新

  •   从“砖头”手机到笨重的电视机,电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间,而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。  硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸,但却很难更进一步。在现有尺寸规格下,硅材料无法在所需的频率下输出更高的功率。而对于即将推出的5G无线网络,以及未来的机器人、可再生能源直至数据中心技术,功率都是一个至关重要的因素。  “工程师现在处于一个非常尴尬的境地,一方面他们无法在现有空间内继续提高功率,但同时又不希望增大设备所需的空间,”德州仪器产品经理Masoud Behe
  • 关键字: GaN,机器人  
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