- 2022年3月21日Power Integrations宣布推出节能型HiperLCS™-2芯片组以及集成750V PowiGaN™氮化镓开关的HiperPFS™-5系列功率因数校正(PFC)IC。 据了解，HiperLCS-2双芯片解决方案由一个隔离器件和一个独立半桥功率器件组成。其中的隔离器件内部集成了高带宽的LLC控制器、同步整流驱动器和FluxLink™隔离控制链路。而独立半桥功率器件则采用Power Integrations独特的600V FREDFET，具有无损耗的电流检测，同时集成有上
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PI HiperLCS-2芯片组 HiperPFS-5 GaN
- 半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用于基地台、数据中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。 EcoGaN首波产品 GNE10xxTB系列?有助基地台和数据中心实现低功耗和小型化一般来说，GaN组件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，有助降低各种电源功耗和实现外围组件小型化。但其闸极耐压很低，因此在开关工作时的组件可靠性方面尚存在课题。针对该课题，RO
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SiC GaN ROHM
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2高达8V，非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低，在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。针对这一课题，ROHM的新产品通过采用自有的结构，成功
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ROHM 150V GaN HEMT
- 1. 提前预定五年产能，全球半导体硅片进入黄金期！根据SEMI发布的数据显示，2021年全球硅片的出货量同比增加了14%，总出货量达到141.65 亿平方英寸（MSI），收入同比增长了13%，达到126.2亿美元。 目前，包括长江存储和武汉新芯等客户，都与沪硅旗下的上海新昇签订了2022年至2024年的长期供货协议。其中，2022年1-6月预计交易金额分别为1.55亿元、8000万元，而2021年1-11月上述公司的交易金额分别为1.43亿元、1.03亿元。2. 2021 年中国集成电路销售额首
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半导体 GaN 芯片 产能
- 电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标。 意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI仅就工业领域来说，如果能将电力利用效率提升1%，就能节省95.
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ST GaN SiC
- 安森美（onsemi）正在执行其fab-liter制造战略，最终目标是透过扩大毛利率实现可持续的财务业绩。安森美於上周签署一份最终协议，将剥离其在美国缅因州南波特兰的工厂。随着将生产转移到其全球制造网络内更高效的晶圆厂，安森美将透过消除与已出售晶圆厂相关的固定成本和降低公司的制造单位成本来改善成本结构。安森美总裁兼首席执行官Hassane
El-Khoury表示：「该拟议的资产剥离表明我们正在实现优化的制造网路，同时为我们的客户提供长期的供应保证。这些交易为受影响工厂的员工提供了持续的就业和发展机
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安森美 晶圆制造厂 GaN
- 1 看好哪类GaN功率器件的市场？2020—2021 年硅基氮化镓（GaN）开关器件的商用化进程和5 年前（编者注：指2016 年）市场的普遍看法已经发生了很大的变化，其中有目共睹的是基于氮化镓件的高功率密度快充的快速成长。这说明影响新材料市场发展的，技术只是众多因素当中的1 个。我个人看好的未来5 年（编者注：指2022—2027 年）的氮化镓应用，包括：快充、服务器/ 通信电源、电机驱动、工业电源、音响、无线充电、激光雷达等，其中快充会继续引领氮化镓开关器件的市场成长。相对于硅
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202201 GaN 英飞凌
- GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料，以高频、高压等为特色。但长期以来，由于工艺、成本等因素制约，GaN还处于Si（硅）和SiC（碳化硅）应用的夹缝之间。在新的一年里，GaN的市场前景将如何？GaN技术和应用有何新突破？为此，本媒体邀请了部分GaN资深企业，介绍一下GaN功率器件的新动向。
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202201 GaN
- GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料，以高频、高压等为特色。但是长期以来，在功率电源领域，处于常规的Si（硅）和热门的SiC（碳化硅）应用夹缝之间。GaN产品的市场前景如何？GaN技术有何新突破？不久前，消费类GaN（氮化镓）功率解决方案供应商——纳微半导体宣布推出全球首款智能GaNFast™功率芯片，采用了专利的GaNSense™技术。值此机会，电子产品世界的记者采访了销售营运总监李铭钊、高级应用总监黄秀成、高级研发总监徐迎春。图 从左至右：纳微半导体级的高级应用总监黄秀成、销售营运总监李铭
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GaN 集成 202201
- 10月19日消息，据The Verge报道，苹果公司向其证实，新上架的140W USB-C电源适配器是苹果首款GaN充电器。 与传统充电器相比，GaN充电器的更小、更轻，同时支持大功率。 此外，苹果公司还确认，140W电源适配器支持USB-C Power Delivery 3.1标准，这意味着该充电器可以为其他支持该标准的设备充电。 新的140W USB-C电源适配器和新款MagSafe连接线现已在苹果中国官网上架。 其中，140W USB-C电源适配器的价格为729元，USB-C转MagSa
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苹果 电源适配器 GaN 充电器
- 以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
- 2021年9月21日Power Integrations推出适用于USB Type-C、USB功率传输(PD)和USB数字控制电源(PPS)适配器应用的集成度一流的解决方案——InnoSwitch™3-PD系列IC。本次InnoSwitch™3-PD电源解决方案的亮点在于它是唯一的USB PD单芯片解决方案，不仅继承了InnoSwitch3系列效率极高、低空载功耗、完善的保护等卓越性能，同时还能显著减少BOM，非常适合要求具备超薄小巧外形的应用设计。 新IC采用超薄InSOP™-24D封装，内部集成
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PI InnoSwitch™3-PD GaN
- TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本
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GAN TI 电源供应器
- TrendForce集邦咨询表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基站、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲。其中，以GaN功率元件成长幅度最高，预估今年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。据TrendForce集邦咨询研究，GaN功率元件，其主要应用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为消费性电子60%、新能源车20
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新能源车 GaN 功率元件
- 氮化镓（GaN）是一种III／V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率则分别为1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，让组件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的硅基组件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。在过去的十多年里，产业专家和分析人士一直在预测，GaN功率开关组件的黄金时期即将到来。相较于应用广泛的MOSFET硅功率组件，GaN功率组件具备更高的效率和更强的功耗处理能力，这
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ST Exagan GaN
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