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gan fet 文章 进入gan fet技术社区

汽车芯片,有两大好赛道

  • 汽车的智能化和电动化趋势,势必带动车用半导体的价值量提升,其中功率半导体和模拟芯片便迎来了发展良机。先看功率半导体,车规功率半导体是新能源汽车的重要组件,无论整车企业还是功率半导体企业都在瞄准这一赛道。新能源汽车电池动力模块都需要功率半导体,混合动力汽车的功率器件占比增至 40%,纯电动汽车的功率器件占比增至 55%。再看车规模拟芯片,模拟芯片在汽车各个部分均有应用,包括车身、仪表、底盘、动力总成及 ADAS,主要分为信号链芯片与电源管理芯片两大板块。如今,新能源汽车在充电桩、电池管理、车载充电、动力系统
  • 关键字: 功率半导体  SiC  GaN  模拟芯片  

更小、更快、更节能,半导体芯片迎大突破

  • 最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”,这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂,这些设备就必须变得更小、更快、更节能,以跟上数据创新的步伐。铁电场效应晶体管(FE-FETs)是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质,在其中植入场效应和电荷积累,实现了长期稳定的记忆效应。与传统存储器相比,它具有低功耗、高速度、高密度等优势。因此,一个成功的FE-FET设计可以大大降低传统器件的尺寸和能量使
  • 关键字: 半导体芯片  FE-FET  

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驱动器方案

  • 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓(GaN)功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用,适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑,加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路,Transphorm 的 SuperG
  • 关键字: Transphorm  SuperGaN FET  驱动器  

第三代半导体高歌猛进,谁将受益?

  • “现在的新车,只要能用碳化硅的地方,便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体(ST)曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下,在全球半导体行业的逆流中,第三代半导体正闪烁着独特的光芒,作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上,各方纷纷加大马力,坚定下注,一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日,科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示,2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下,全球半导体产业进入下行周
  • 关键字: 第三代半导体  SiC  GaN  

泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案, 加快SiC和GaN技术验证速度

  • 中国北京,2023年5月31日—— 全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展,泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件(如SiC和GaN MOSFETs)提供自动可重复的、高精度测量功能。下一代功率转换器设计师现在能够利用WBG-DPT解决方案,满怀信心地迅速优化自己的设计。WBG-DPT解决方案能够在泰克4系、5系、6系MSO示波器上运行,并能够无缝集成到示波器测量系统
  • 关键字: 泰克  示波器  双脉冲测试  SiC  GaN  

Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

  • 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体,领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统,以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比,这些应用可受益于1
  • 关键字: Transphorm  1200伏  GaN-on-Sapphire器件  常关型  氮化镓.三相电力系统  

使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率

  • 碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管,但需要使用低热阻封装,比如 TO-247。然而,此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文,了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商,它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、
  • 关键字: Qorvo  开尔文  FET  

EPC起诉英诺赛科,要求保护氮化镓(GaN)专利

  • 案例聚焦新一代替代硅技术 (加利福尼亚州,埃尔塞贡多)-- 氮化镓(GaN)技术的全球领导者宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)于今日向美国联邦法院和美国国际 贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)提起诉讼,主张其基础专利组合中的 四项专利受到英诺赛科(珠海)科技有限公司及其子公司(以下统称英诺赛科)侵犯。 这些专利 涉及宜普公司独家的增强型氮化
  • 关键字: 宜普电源  EPC  英诺赛科  氮化镓  GaN  

意法半导体的100W和65W VIPerGaN功率转换芯片节省空间

  • 2023 年 5 月 19 日,中国——意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品,适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振(QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的产品设计的目标应用包括USB-PD充电器、家电、智能建筑控制器、照明、空调、智能表计和其他工业应用的开关式电源(SMPS)。 每个器件都集成了脉宽调制 (PWM) 控制器和650
  • 关键字: 意法半导体  GaN  功率转换芯片  

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT

  • 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年,RO
  • 关键字: ROHM  650V  GaN HEMT  

意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片

  • 2023 年 5月 16 日,中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑,以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用,采用隔离降压拓扑结构,需要的外部组件比传统隔离式反激式转换器少,并且不需要光耦合器,从而节省了物料清单成本和 PCB面积。 L6983i 的其他优势包括 2µA 关断电流,集成软启动时间可调、内部环路补偿、电源正常指示,以及过流保护、热关断等保护功能。扩
  • 关键字: 意法半导体  隔离式降压转换器  功率转换  IGBT  SiC  GaN  晶体管栅极驱动  

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计

  • 基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186,这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。EPC9186在每个开关位置使用四个并联的EPC2302,可提供高达200 Apk的最大输出电流。EPC9186包含所有必要的关键功能电路
  • 关键字: EPC  GaN FET  ARMS  电机驱动器  

Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨,2023年5月10日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件,从GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。  Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至19
  • 关键字: Nexperia  E-mode GAN FET  

深挖 GaN 潜力,中国企业别掉队

  • 氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度达到 3.4eV,是最具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度,氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率,以及更优的抗辐照能力,这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。GaN 产业上游主要包括衬底与外延片的制备,下游是 GaN 芯片元器件的设计和制造。衬底的选择对于器件性能至关重要,衬底也占据了大部分成本,因而衬底制备是降低 GaN 器件成本的突破口。衬底GaN 单晶衬底以 2-4 英寸为主,4 英寸已实现商用,6 英寸
  • 关键字: GaN-on-Si  氮化镓  

氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因

  • 作为提供不间断连接的关键,许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术,通常称为 GaN,是一种宽带隙半导体材料,越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心,这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。  了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限  德州仪器 GaN 产品线负责人 David Snook 表示:“氮化镓是提高功率密
  • 关键字: 氮化镓  GaN  电源管理  
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