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cxl dram 文章 进入cxl dram技术社区

利基型DRAM持续扩产 华邦电 抢攻AIoT、元宇宙

  • 内存大厂华邦电日前宣布扩大利基型DDR3产出,争取韩系DRAM厂退出后的市占率,推升营收及获利续创新高。华邦电自行开发的20奈米DRAM制程,将于明年导入至高雄厂量产,为长远发展奠定良好的基础与成长动能,同时满足5G基地台、人工智能物联网(AIoT)、电动车及车用电子、元宇宙等产业大趋势强劲需求。华邦电第一季迎来利基型DRAM价格回升,SLC NAND及NOR Flash价格回稳,季度营收265.14亿元为历史次高,归属母公司税后净利年增近1.9倍达45.59亿元并创下历史新高,每股净利1.15元优于预期
  • 关键字: DRAM  华邦电  AIoT  元宇宙  

三星推出512GB 内存扩展器CXL DRAM

  • 2022年5月10日 ,作为先进内存技术的厂商,三星宣布开发出三星首款512 GB 内存扩展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商业化迈出了重要一步,CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。三星半导体512GB 内存扩展器 CXL DRAM与以往版本相比,新开发的CXL内存容量为其4倍,从而让服务器扩展至数十TB,而系统延迟仅为其五分之一三星还将推出其开源软件工具包的升级版本,以推动CXL内存在现有和新兴IT系统中的部署自2021年5月推出三星首款配备
  • 关键字: 三星  内存扩展器  CXL DRAM  

Astera Labs全新发布Aries PCIe 5.0和CXL™2.0 Smart Retimers助力解锁下一代云连接

  • 智能系统连接解决方案先驱Astera Labs近日宣布,其面向PCI Express® (PCIe®) 5.0和Compute Express Link™ (CXL™) 2.0的Aries Smart Retimers现已进入量产阶段。率先上市的Aries Smart Retimer产品组合圆满完成与关键行业合作伙伴之间严苛的互操作性测试,测试涵盖各种PCIe 5.0处理器、FPGA、加速计算、GPU、网络、存储和交换机SoC,为在企业数据中心和云中的广泛部署铺平了道路。Astera Labs首席执行官J
  • 关键字: Astera Labs  Aries PCIe 5.0  CXL™2.0 Smart Retimers  

第二季度DRAM跌幅估缩小

  • 根据市调预估,第二季整体DRAM平均价格跌幅约0~5%,跌幅相较上季已明显缩小。由于买卖双方库存略偏高,再加上需求面如笔电、智能型手机等受近期俄乌战事和高通膨影响,进而削弱消费者购买力道,目前仅服务器为主要支撑内存需求来源,故整体第二季DRAM仍有供过于求情形。在标准型PC DRAM方面,受俄乌战争影响,引发PC OEM对第二季的订单采保守备货策略,且可能持续影响下半年旺季订单情形,进而下修今年的出货目标,然而整体供给位却仍在增长,故第二季PC DRAM价格跌幅达3~8%,且可能会进一步恶化。在服务器DR
  • 关键字: DRAM  集帮咨询  

三星LPDDR5X DRAM已在高通骁龙移动平台上验证使用

  • 今日三星宣布,高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已经验证了三星14纳米(nm) 16Gb低功耗双倍数据速率5X (LPDDR5X) DRAM,并应用于高通技术公司的骁龙(Snapdragon®)移动平台。自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以来,三星与高通技术公司密切合作,优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X,用于骁龙移动平台。LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5 (6.4Gbps)快约1.2倍,有
  • 关键字: 三星  LPDDR5X  DRAM  高通  骁龙  

微结构不均匀性(负载效应)及其对器件性能的影响:对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究

  • 随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中,我们将为大家呈现,如何利用SEMulator3D研究先进DR
  • 关键字: DRAM  微结构  

美光确认EUV工艺DRAM 2024年量产:1γ节点导入

  • 三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。芯研所8月21日消息,CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后,EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认,美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图,将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产,预
  • 关键字: 美光  EUV  DRAM  

TrendForce:第四季PC DRAM合约价将转跌0~5%

  • 根据TrendForce调查,第三季PC DRAM合约价格的议定大致完成,受惠于DRAM供货商的库存量偏低以及旺季效应,本季合约价调涨3~8%,但相较第二季25%的涨幅已大幅收敛。然约自七月初起,DRAM现货市场已提前出现PC DRAM需求疲弱的态势。卖方积极调节手上库存,持续降价求售。合约市场方面,先前PC OEMs因担忧长短料问题而大量备料,使DRAM库存已达高水位,库存迭高问题成为涨价的阻力,再加上欧美逐步解封可能使笔电需求降低,进而拉低PC DRAM的总需求量。因此,预估PC DRAM合约价于第四
  • 关键字: TrendForce  PC DRAM  

三星将在不久后开始生产768GB DDR5内存条

  •   三星电子昨天公布了其2021年第二季度的收益。该公司整体表现良好,其内存业务也不例外。该公司预计该部门将持续增长,尤其是针对高端服务器和高性能计算(HPC)市场的DRAM产品。这就是为什么三星一直在推动其用于此类用途的高密度内存模块,该公司最近发布了业界首个512GB DDR5 DRAM模块,从任何角度看都是一个真正的高容量解决方案。  但事实证明,这家韩国巨头可能还不满足,因为它计划在不久的将来的某个时候更进一步,生产768GB DDR5模块,也就是使用24Gb DRAM芯片。这可以从该公司的财报电
  • 关键字: 三星  内存  DRAM  DDR5    

EUV技术开启DRAM市场新赛程

  • SK海力士公司在7月12日表示,本月已经开始生产10纳米8Gb LPDDR4移动DRAM —— 他们将在该内存芯片生产中应用极紫外(EUV)工艺,这是SK海力士首次在其DRAM生产中应用EUV。根据SK海力士的说法,比起前一代规格的产品,第四代在一片晶圆上产出的DRAM数量增加了约25%,成本竞争力很高。新的芯片将在今年下半年开始供应给智能手机制造商,并且还将在2022年初开始生产的DDR5芯片中应用10纳米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士发布声明,正式启用EUV光刻机闪存内存芯片,批量生产采用
  • 关键字: EUV  DRAM  

SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM

  • SK海力士宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) *LPDDR4 移动端DRAM产品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR” 为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering Council,简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称,DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。 图1.
  • 关键字: SK海力士  10纳米  DRAM  

美光力推业界首款176层NAND与 1α DRAM 技术创新

  • 近日,在一年一度的COMPUTEX 2021线上主题演讲中,美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra代表美光发布多项产品创新,涵盖基于其业界领先的 176 层 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的内存和存储创新产品,并推出业界首款面向汽车应用的通用闪存 (UFS) 3.1 解决方案。这些创新产品和创新技术体现了美光通过内存和存储创新加速数据驱动洞察的愿景,从而助力数据中心和智能边缘的创新,突出了内存和存储在帮助企业充分发挥数据经济潜能方面的核心作用。在新的数据经济背后,有一
  • 关键字: 美光  176层NAND  1α DRAM   

CXL标准成为现实:三星推出首款CXL内存模块

  • 早在3月初,三星就发布了首个DDR5 DRAM存储芯片。而近日,三星又公布了目前世界上首款CXL协议的DDR5内存,该内存将被用于服务器领域。三星称,基于CXL的DDR5内存模块采用了EDSFF尺寸,这允许服务器系统极大地提升内存容量和带宽。新的内存模块甚至可将内存容量拓展到TB级别,减少内存缓存所引起的系统延迟,并可加强服务器系统地机器学习、人工智能的能力。Compute Express Link (CXL) 是一种开放式互连新标准,于2019年由英特尔、谷歌等巨头牵头开发的。它主要面向CPU
  • 关键字: 三星  CXL  内存模块  

CXL、CCIX和SmartNIC助力 PCIe 5加速飞奔

  •   过去三十年间,基于服务器的运算历经多次飞跃式发展。在1990年代,业界从单插槽独立服务器发展到服务器群集。紧接着在千禧年,产业首次看到双插槽服务器;在这之后,多核处理器也相继问世。进入下一个十年,GPU的用途远远超出了绘图处理的范畴,我们见证了基于FPGA的加速器卡的兴起。迈入2020年,SmartNIC网络适配器(network interface card;NIC),即数据处理单元(DPU)开始风靡。它们大量采用FPGA、多核Arm丛集或是两者混合运用,每种作法都能大幅提高解决方案的效能
  • 关键字: CXL  CCIX  SmartNIC  PCIe 5  

美光专家对1α节点DRAM的解答

  • 2021 年1 月,美光科技宣布批量出货基于1α(1-alpha) 节点的DRAM产品,是目前世界上最为先进的DRAM 技术,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。为此,《电子产品世界》记者采访了公司DRAM 制程集成副总裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran1   1α节点技术1α 节点DRAM 相当于10 nm 的第四代,其最小特征尺寸(通常是指内存阵列激活区半间距)在(10~19) nm之间。要做到这一点,需要大幅缩小位线和字线间距——可以说是收缩
  • 关键字: 202104  DRAM  
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