新闻中心

EEPW首页 > 手机与无线通信 > 设计应用 > 采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段收发器(06-100)

采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段收发器(06-100)

—— 采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段收发器
作者:Infineon公司R. Koller, T. Ruhlicke, D. Pimingsdorfer, B. Adler时间:2008-04-03来源:电子产品世界

  前言

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/81180.htm

  随着通用移动通信系统()网络在日本和欧洲实现商用,市场对多频段宽带码分多址()收发器芯片的要求更加苛刻——除了缩小芯片面积和主板占用空间、减少组件数量、降低材料成本外,还要求芯片具备足够的灵活性,不仅要支持工作频段I,还要支持其他多个频段。考虑到的全双工性质,再加上支持所有频段要求在面积更小的芯片上集成多个发射和接收通道,如何最大限度降低这些通道之间的串扰,就成为一个非常具有挑战性的任务。第一颗采用0.13微米工艺制造的单芯片直接转换收发器于2003年2月面世;第一颗采用0.35微米SiGe Bi工艺制造的单芯片收发器于2004年正式推出。最新发布的直接变换设计包括一个采用0.35微米SiGe Bi工艺制造的适用于WCDMA/HSDPA网络的三频段单芯片收发器。

  本文介绍了一种适用于频分复用(FDD)网络的低功耗、多频段、全集成化单芯片UMTS /HSDPA直接转换型收发器。它采用0.13微米CMOS工艺制造而成。该设计包括三条零中频接收(RX)通道,三条直接转换型发射(TX)通道,两个分数型频率合成器。它们都由一个多标准编程接口控制。图1显示了该芯片的完整框图。

cdma相关文章:cdma原理



上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 下一页

关键词: Infineon CMOS UMTS W-CDMA

评论

技术专区

关闭