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采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段收发器(06-100)

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作者:Infineon公司R. Koller, T. Ruhlicke, D. Pimingsdorfer, B. Adler时间:2008-04-03来源:电子产品世界收藏
  直接上变频发射器

  发射器内含一个完全差分化可编程输入缓冲器,以处理不同的基带输入信号。一个附加的三阶Butterworth型基带滤波器(校准角频为4.4MHz)能够消除各类有害的信号内容(譬如基带DAC的杂散辐射等),同时不会对有用的信号产生过大的干扰。此外,精度高于±0.2 dB的可调-1 dB和-2 dB增益步长,能够处理各类HSDPA信号群的较高波峰因子。通过提高以下所述的增益控制输入引脚的电压可以补偿衰减,并且形成一个“高线性度”模式,以符合线性度规范要求。基带滤波器输出信号可驱动直接变换式调制器(每条发射通道一个)中集成的Gilbert型混频器的输入级。由于布局高度对称并且完美匹配,再加上在发射器初始化时采用了一个校准程序,DC偏差始终保持在很低的水平(在高输出功率范围内通常为-40dBc)。射频输入由来自集成化VCO(高频段和中频段通道为二分频器,低频段通道为四分频器)的0o/90o信号驱动。混频器的输出信号然后被缓存,并被发送至射频差分输出引脚。总增益一般超过95 dB,分布在基带和射频模块。通过在不同级上分配增益(按照优化的加权因子),可实现VGA的近似对数线性特征。通过在增益控制引脚(TXGC)上施加适当的电压(0.5-2.2 V),-77dBm至+7dBm的保证输出功率范围(取决于所采用的频段和发射通道)可达到控制。最大功耗(通常为80mA)可随输出功率的下降快速下降,在低增益范围内可降低至26mA。当输出功率最大时,在相应的接收频段,发射通道一般可实现-152 dBc/Hz的本底噪声,同时保持-43dBc的ACLR(有余量)和3%的EVM(典型值)。图8显示的是中心频率为1950MHz时的典型调制输出频率。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/81180.htm

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关键词: Infineon CMOS UMTS W-CDMA

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