- 半导体材料是电子信息产业的基石。目前，随着晶体管特征尺寸的缩小，由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，主流硅基材料与CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正发展到10纳米工艺节点而很难提升，摩尔定律可能终结。
因此，开发新型高性能半导体沟道材料和新原理晶体管技术，是科学界和产业界近20年来的主流研究方向之一。在众多CMOS沟道材料体系中，相比于一维纳米线和碳纳米管，高迁移率二维半导体的器件加工与传统微电子工艺兼容更好，同时其超薄平面结构可有效抑制短沟道效应，被认为是构筑后硅时代纳电子器件和数字
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二维半导体
- 传统上，当半导体材料越薄，其缺陷对于电子、光电元件的效能就有越严重的影响，一直是难以突破的困境。台湾大学跨国团队研发出独步全球的零缺陷半导体材料，透过“修复缺陷”简单方法，让单层二维半导体材料能达到零缺陷等级，可提升LED发光效能100倍。上月研究刊登在“科学”《Science》期刊。 二维半导体材料具有特殊的电子传导、光学、机械特性，可整合于现今半导体元件制程，被学界认为有很大潜力取代传统矽材原料，其中中二硫化钼(MoS2)是最热门的半导体二维材料之一，但以目前合成制备技术，二维材料的缺陷密度还是
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半导体 二维半导体
- 近日，中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队中，与美国劳伦斯伯克利国家实验室(LBNL)汪林望博士研究组合作，在二维半导体异质结的基础研究中取得新进展。相关成果发表在9月30日美国化学学会主办的《纳米快报》(Nano Letters)上。
半导体异质结是由不同半导体材料接触形成的结构。由于构成异质结的两种半导体材料拥有不同的禁带宽度、电子亲和能、介电常数、吸收系数等物理参数，异质结将表现出许多不同于单一半导体材料的性质。在传统半导体领域，以
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二维半导体 导体异质结
二维半导体介绍
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