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功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)

—— 功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测
作者:安森美半导体 Francois LHERMITE时间:2008-04-01来源:电子产品世界

  引言

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/81041.htm

  在工作于自激振荡模式的SMPS中,需要检测磁芯的完全去磁状态。去磁检测的最新技术基于对与变压器主绕组耦合的辅助绕组的使用。此绕组可对磁芯实际去磁后出现的零电压进行检测(ZCD)。在准谐振工作中,重新启动新一轮导通周期的最佳时机位于功率MOSFET漏极电压的“谷点”处。电压ZCD和漏极电压谷点之间的时间间隔取决于漏极振铃周期。

  本文描述了一种被称为SOXYLESS的新技术,它无需采用辅助绕组和时间补偿元件就能进行“谷点”检测。

  Soxyless原理

  图1表明了反激SMPS的功率MOSFET漏极上的电压 。

  为了工作在开关导通准谐振状态,最佳时刻必须和漏极电压的“谷点”相对应。此事件和存储在漏极总中的最小能量相重合:

  

  开关导通时该能量越小,SMPS的损耗和干扰就越小。

  “谷点”检测基于对流经功率MOSFET栅极节点的电流的测量。在功率MOSFET漏极上出现的平坦电压末端,电压的变化由Lp变压器电感与漏极上的总之间传输的谐振能量决定。当电压由平坦电平下降至SMPS的VIN dc电压时,MOSFET漏极上的振荡电压便会发生变化。在栅极和漏极之间,形成一个固有的MOSFET。因此,便产生一个电流流经功率MOSFET栅极。


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