功率开关 文章
任 立 张国俊 （电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054）摘 要：提出了一种新型的电荷泵电路设计，该设计利用电容电压不能突变的原理，设计了一种可以用来驱动 高边功率开关管栅极电压的电荷泵结构。采用该结构后的高边功率管的栅极电压，可以在控制信号开启后很短 的时间内，将栅极电压迅速抬升至电源电压以上，确保功率开关管可以正常导通。通过调整输入方波的频率， 该结构的电压抬升时间可以根据不同的工艺水平和工作环境进行调整，本文也整理了不同的输入频率和抬升时 间之间的关系。&n
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202003 电荷泵 功率开关 功率集成电路 高边驱动
功率开关是所有功率转换器的核心组件。功率开关的工作性能直接决定了产品的可靠性和效率。若要提升功率转换器开关电路的性能，可在功率开关上部署缓冲器，抑制电压尖峰，并减幅开关断开时电路电感产生的振铃。正确设计缓冲器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各种不同类型的缓冲器中，电阻电容(RC)缓冲器是最受欢迎的缓冲器电路。本文介绍功率开关为何需要使用缓冲器。此外还提供一些实用小技巧，助您实现最优缓冲器设计。
图1： 四种基本的功率开关电路
有多种不同的拓扑用于功率转换器、
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功率开关 MOSFET
稳压器和DC-DC电源内的硅功率器件不久将会被GaN FET代替。与硅MOSFET相比，其开关速度要快得多，且RDS(on)更低。这将能增强电源的电源效率，为大家带来益处。如果您正在设计带有GaN器件的电源电路，您需要掌握该器件的开关速度。为测量这一速度，示波器、探头和互连的速度必须足够快，以尽量减少其对测量产生的影响。
关于器件性能，我最常被问到的问题就是“它们究竟有多快?”通常我会回答是：它们非常快，但实际上我并不知道具体有多快。为探明真相，我使用33GHz实时示波器
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功率开关
近年来，节能成为全新汽车技术和趋势的热门话题。回顾过去20年，汽车的电子化主要由驾驶者对更舒适和更豪华的设...
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功率开关 节能汽车 电源管理
随着油电混合车和电动车技术的演进，逆变器驱动技术已经进入汽车领域，从空调机和加热系统等低功率应用，一直到驱...
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逆变器 功率开关 晶体管
TOP2XX系列IC是一类将控制电路和功率开关集成在一起的三端开关电源芯片。这类芯片的封装形式为TO-220，管脚名...
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控制电路 功率开关 TOP2XX系列
人们对半导体功率开关和继电器的比较常常仅关注开关本身的成本，这仅对于那些只关心开关功能的应用而言是合理的。而当某个应用还能利用一个智能半导体功率开关提供的附加功能时，则应该基于系统总成本对两者进行比较
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大电流 功率开关 汽车电子系统
现代技术的快速发展，电气和电子设备的种类不断增加，使得电磁环境日益复杂。在复杂的电磁环境中，各种设备或系统...
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开关电源 电磁兼容 功率开关
近年来，节能成为全新汽车技术和趋势的热门话题。回顾过去20年，汽车的电子化主要由驾驶者对更舒适和更豪华的设备，例如电动车窗、电动天窗和敞篷车盖、高级音响器材、电动座椅、空调或电动液压助力转向系统等的渴求
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节能汽车 功率开关 无线
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言，这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器，及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。
这些新的500 V和60
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安森美 MOSFET 功率开关
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高侧智能功率开关 (IPS) 。新产品具有精确的电流感应和内置保护电路，适用于严苛的24V汽车环境，如卡车的引擎罩接线盒等。
AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 提供全面的保护功能，确保开关安全可靠。此外，新器件的过流关断、过温关断和有源箝位电路功能都能确保在重复短路的情况下实现安全运行和保护。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：&ldquo
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IR IPS 功率开关
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 推出一款采用8-DIP封装的高集成度FPS功率开关产品FSFM300，让LCD显示器和电视机、机顶盒及DVD播放器设计人员无需采用散热片，即能够实现高达30W的输出功率，使到LCD显示器的外形更小巧，并降低设计的总体成本。FSFM300是高集成度的绿色FPS开关，在成本和散热性能都较好的8-DIP封装内集成了脉宽调制 (PWM) IC和耐雪崩SenseFET MOSFET。新产品通过在芯片中集成SenseFET，实现较其它解决方案更少的
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Fairchild FPS 功率开关 FSFM300
意法半导体推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。
STC03DE220HV是额定击穿电压2200V的ST ESBT新系列的首款产品。在电源电压90V AC到690V AC的通用输入转换器中，新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台，再配合适合的控制器如L6565，ST完整的ESBT产品让设计工程师能够开发最大功率达到250W的准谐振转换器。
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ST 意法半导体 功率开关 ESBT
引言
在工作于自激振荡模式的SMPS中，需要检测磁芯的完全去磁状态。去磁检测的最新技术基于对与变压器主绕组耦合的辅助绕组的使用。此绕组可对磁芯实际去磁后出现的零电压进行检测(ZCD)。在准谐振工作中，重新启动新一轮导通周期的最佳时机位于功率MOSFET漏极电压的“谷点”处。电压ZCD和漏极电压谷点之间的时间间隔取决于漏极振铃周期。
本文描述了一种被称为SOXYLESS的新技术，它无需采用辅助绕组和时间补偿元件就能进行“谷点”检测。
So
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安森美 功率开关 电容 磁芯去磁检测
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