功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)
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必须看到，在禁止窗口中存在一些残留电压。驱动器行为与任何典型的CMOS推挽驱动器相似。残留信号的闭塞在禁止窗口中进行。选择Rsig和镜像的比例，以便进行灵敏度为100mA的负电流检测。
比较器提供用于导通功率MOS的Vvalley信号。
因为要进行高速的Soxyless检测，所以功率MOSFET的导通发生在非常接近于“谷点”处。
“谷点”检测灵敏度的范围是100mA。
注：有源电压钳位和负电流测量都在申请专利待审批中。
结语
Soxyless技术在硅集成上进行了验证。其表明仿真结果与试验分析相一致。这种创新的技术可以无需特定的辅助绕组与反激变压器耦合就能检测“谷点”。目前无需使用任何RC定时技术便可在过零检测和重启点之间建立一致的关系。■
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