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功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)

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作者:安森美半导体 Francois LHERMITE时间:2008-04-01来源:电子产品世界收藏

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/81041.htm

  施加到上的电压源提供对电压有负90°相移的电流。所以当电流上升到零点时,电压便对应于其峰值。所述的Soxyless技术包含检测正栅极电流的过零检测器(ZCD)以确定“谷点”的出现。

  本文将从SMPS初级侧接地点流出的电流通过下部栅极驱动器流向功率MOSFET栅极的方向定义为负。

  在半导体技术中,驱动并测量这样的负电流并非易事。

  功率MOS栅极上产生的电流与漏极电压和之间的关系可表述成如下:

 

 

  其中Zc为阻抗:

 

 

  此栅极电流的大小取决于MOSFET、谐振频率F和在平坦电压末端漏极上的电压摆幅(Vring)。

  谷点发生在谐振周期的一半处:

   



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