功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)
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·上方的曲线代表功率MOS的栅极电流。图中的左边部分对应于关断之后出现的寄生振荡。漏极上出现的任何dV/dt都会在周围所有电容中产生相应的电流。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/81041.htm·中间曲线表示流经功率MOS源极的电流。
·下方曲线是功率MOS的漏极电压。
栅极和源极电流在形状上可以相互比拟。两者幅度之间的关系可近似地用Crss和Coss的值来表示：
Coss/Crss = 27/6=4.5
Igate/Isource=3.4
Soxyless实现
已经开发出专用的功率MOSFET驱动器，可通过MOS和双极晶体管的混合电路来测量负栅极电流，该电路不经过底部而是经由参考正Vcc电压的路径传输负栅极电流。因此，测量的电流从Vcc轨经过简单的补偿电路流至栅极，该电路的工作相当于有源负电压钳位。结果，“负栅极电流”转换为便于处理的正电流。因此，使用简单的比较器便可进行栅极电流过零检测，从而提供“谷点”信号。
图7为Soxyless功能的方块原理图。功率MOSFET驱动器由混合的推挽输出电路组成(上部的PMOS+下部的NMOS和PNP并联)。在闭塞窗之后禁用Q1 NMOS。在其余的关断反激序列中只有Q2 PNP保持导通。这种技术无须考虑功率MOS Toff之后出现的振铃。如果假设下面的FET其Rdson为10W，则10mA栅极电流就能产生一个100mV信号。这是任何使用CMOS结构的典型MOSFET驱动器的典型性能。
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