芯片制造双重突破：深紫外固态激光与热力学计算芯片引领新潮流

【EEPW 电子产品世界 讯】在摩尔定律逼近物理极限、全球科技竞争加剧的背景下，芯片制造正不断向更高精度与更高效率迈进。近日，中国与美国团队分别在光刻技术与计算架构领域取得重要进展，为半导体行业注入新的活力。

中国科学院实现193nm固态深紫外激光器

来自中国科学院的一项最新研究成功开发出可发射193纳米波长光的固态深紫外（DUV）激光器，这一波段是先进芯片光刻的关键技术。目前，商用光刻系统普遍采用氟化氩（ArF）准分子激光器作为光源，存在体积大、系统复杂和运维成本高等问题。

与之相比，固态激光器结构紧凑、稳定性更高、能效更好。研究团队通过Yb:YAG晶体放大器生成1030纳米激光，再通过非线性光学过程实现波长压缩，最终输出193纳米波段的深紫外激光。尽管目前实验装置的输出功率为70毫瓦，远低于商用系统，但其光谱纯度和稳定性已达到较高水平。未来随着功率放大与技术迭代，该光源有望成为下一代光刻设备的有力候选。

Extropic发布热力学计算芯片，挑战传统与量子架构

与此同时，美国初创公司Extropic推出了全球首款基于“热力学计算”架构的芯片原型。该架构由前Google量子人工智能团队成员Guillaume Verdon提出，核心理念是通过利用热涨落（通常被认为是噪声）来执行计算任务，形成可控的“概率位”（p-bit），进行高效的概率模拟。

与试图屏蔽热干扰的传统计算不同，热力学计算反其道而行，将涨落作为驱动力，尤其适用于人工智能、金融模拟、蛋白质折叠等复杂优化问题。此外，该芯片基于常规硅材料制造，无需像量子计算那样依赖超低温和特殊材料，使其在成本、功耗和工程可实现性方面更具优势。

Extropic计划于2025年推出首批商用芯片，目标是挑战当前AI加速器主导者NVIDIA，提供一条新的高效计算路径。

从制造到架构：芯片创新加速落地

这两项来自不同领域的技术创新，分别代表了芯片制造链条的两个关键维度：一是通过激光器创新提升光刻工艺精度与灵活性，二是通过计算架构创新颠覆传统冯诺依曼体系。在全球半导体产业变革关键期，这类跨领域技术的突破不仅增强了技术多样性，也为行业带来了新的增长引擎。

EEPW将持续关注该类前沿技术的研究进展与产业化动态，为电子工程师与研发人员提供权威、深入的技术资讯。