尼康推出新一代步进式光刻机“NSR-2205iL1”，2024 年夏季上市
IT之家 9 月 6 日消息，尼康宣布推出新一代具有 5 倍缩小投影倍率的 i-line 步进式光刻机“NSR-2205iL1”，预计 2024 年夏季上市。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202309/450276.htm
据称，这种光刻机具有缩小投影放大系统，支持功率半导体、通信半导体和 MEMS 等多种产品，并且与尼康现有的 i-line 曝光设备高度兼容；NSR-2205iL1 代表了尼康 5 倍步进技术在过去二十五年中的最重大的更新，将可直接响应客户对这些在芯片制造中发挥重要作用的光刻系统的需求。
尼康表示，与现有的尼康 i-line 曝光系统相比，NSR-2205iL1 具有出色的经济性，无论晶圆材料如何，都可以优化各种半导体器件的生产。
IT之家注：这是尼康 25 年来（从 1999 年“NSR-2205i14E2”开始接单时计算）首次推出投影倍率降低 5 倍的新型 i-line 曝光系统。
主要性能：
| 分辨率 | ≤350nm |
|---|---|
| NA（孔径） | 0.45 |
| 光源 | i-line（波长：365 nm） |
| 缩小倍率 | 1:5 |
| 最大曝光场 | 22×22mm |
| 叠加精度 | SMO：≤70nm |
尼康指出，随着电动汽车、高速通信和各种 IT 设备的普及，支持这些应用的半导体需求呈指数级增长。这些半导体必须执行各种具有挑战性的功能，因此，设备制造商需要专门的基板和曝光系统来制造这些芯片。
除了扩展各种功能选项以满足客户多样化的需求外，这款新开发的 i-line 光刻机还将支持长期的设备生产。
据介绍，NSR-2205iL1 可通过多点自动对焦（AF）、先进的晶圆台平整技术以及宽深度焦点范围（DOF）等多种优点，在高精度晶圆测量的基础上，为各种半导体制造过程提供高生产率，并优化产量水平。此外，由于其晶圆厚度和尺寸的兼容性、高晶圆翘曲容忍度以及灵活的功能（包括但不限于支持 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）加工），NSR-2205iL1 i-line 光刻机非常适用于各种应用场景。这款光刻机将提供卓越的性价比，同时满足芯片制造商多样化的需求。
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