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EPC推出采用EPC氮化镓(eGaN)技术的150安培开发板

作者:时间:2018-09-13来源:网络收藏

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板(EPC9126HC)。面向全自动汽车应用的系统需要制作三维地图,因此,侦测四周的目标物件的速度及准确性变得非常重要。从EPC9126HC演示电路板可以看到,与等效MOSFET相比,具备快速转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)所提供的脉冲功率可以快十倍的速度驱动激光二极管,从而提升系统的整体性能。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201809/389074.htm

主要驱动激光二极管,备有参考接地的氮化镓场效应晶体管(EPC2001C)。该晶体管由德州仪器公司的UCC27611栅极驱动器驱动。EPC2001C的最高电压为100 V,可驱动高达150 A脉冲电流。给高功率triple-junction激光二极管的驱动电流高达75 A,其脉宽可以低至5 ns。

开发板为装贴激光二极管所需,提供多个可选并具备超低电感的连接,以及可利用电容器放电(装运时配备),或由电源总线直接驱动二极管。开发板并没有包含激光二极管,它需要由使用者提供,从而对不同的应用进行针对性的评估。

PCB的设计是把功率环路电感减至最小而同时保持装贴激光二极管的灵活性。板上备有多个无源探头(passive probe),可测量电压及放电电容器的电流,以及备有为50 Ω测量系统而设的输入及传感器的SMA连接器。此外,使用者可使用可选的高精度窄脉冲发生器。

最后,EPC9126HC可以在其它采用参考接地的eGaN FET的应用中发挥其效能,例如Class E或其它相同的电路。



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