新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 设计应用 > MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

作者:时间:2018-09-12来源:网络收藏

1 引言
管的导通电阻具有正的温度特性,可自动调节,因而易于应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因,应用功率管会产生不均的问题,关于此问题,已有文献进行过分析,这里进一步分析 应用时导通电阻Ron、栅阈电压UT、跨导Gm等自身参数及部分电路参数对静态和动态的影响。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201809/388958.htm

2 导通电阻Ron对静态电流的影响
这里静态是指器件开关过程已结束并进入稳定导通后的工作状态。此时,由于导通电阻Ron具有正的温度系数KT,可抑制电流分配不均的程度,但不能根本消除电流分配不均现象。实践证明,当n只器件并联时,若其中只有1只器件具有较小的导通电阻Ron,这时静态电流不均现象最为严重。设较小导通电阻为R1,其余器件的导通电阻为R2,并设其结温为Tj=25℃时的导通电阻分别为 R10和R20,而结温Tj≠25℃时的导通电阻分别为R1T和R2T,则有:


式中,In为MOSFET管的漏极电流,RTj为PN结到管壳的热电阻。
若负载电流为I0,当各器件不存在电流分配不均现象时,各管漏极电流平均值为:


式中为漏极电流的不均匀度为导通电阻的不匹配度;M=I2BR10RTjKT,称为功率MOSFET管导通电阻的自主补偿系数。
当并联支路数n→∞时,式(6)可简化为:

在式(7)、(8)中再分别令M=0和n→∞,则均可得到:
A=B (9)

上一页 1 2 3 下一页

关键词: MOSFET 并联 电流 分配

推荐阅读

评论

技术专区

关闭