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3D SiC技术闪耀全场,基本半导体参展PCIM Asia引关注

作者:基本半导体时间:2018-07-02来源:电子产品世界收藏

  6月26日-28日,成功参展PCIM Asia 2018上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201807/382607.htm

  展台以充满科技感和未来感的蓝白为主色调,独有的3D SiC™技术和自主研发的吸引了众多国内外参展观众的眼球。


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  全球独创3D SiC™技术

  展会期间,技术团队详细介绍了公司独创的3D SiC™外延技术,该技术能够充分利用碳化硅的材料潜力,通过外延生长结构取代离子注入,使碳化硅器件在高温应用中拥有更高的稳定性。优良的外延质量和设计灵活性也有利于实现高电流密度的高压器件。


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  碳化硅肖特基二极管

  基本半导体碳化硅肖特基二极管提供行业标准封装,具有优越的性能和极高的工作效率。其中650V、1200V和1700V 的肖特基二极管采用特有的嵌入式结构,反向漏电流比传统结构低3个数量级,更利于高温(250℃)环境下工作,抗浪涌电流能力强,正向压降低,各项性能达到国际先进水平。


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  碳化硅MOSFET

  基本半导体碳化硅MOSFET具有低的 RDS(ON),开关性能优良,可提高器件工作效率,减小芯片面积。同时能在更高的开关频率下,通过更低的热损耗实现高效率。碳化硅 MOSFET可在电机驱动器、开关电源、光伏逆变器和UPS等领域广泛使用。


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  基本半导体生产的碳化硅外延片低掺杂层厚度可高达250μm,具有极低的缺陷密度和高均匀性,可生产3.3千伏以上的高压器件和1万伏以上的超高压器件,主要应用于轨道交通、智能电网、医疗设备和国防军工等领域。


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  此外,基本半导体研发的全碳化硅模块和混封碳化硅模块也在展会一一亮相,参观人流络绎不绝。

  基本半导体副总经理张振中博士在同期举行的电力电子应用技术论坛发表主题演讲,介绍公司高性能的3D SiC JBS Diode,吸引了众多业内人士的关注,在演讲结束后与张博士进行了深入交流和探讨。

  PCIM Asia 2018已经完美落幕,基本半导体将在推动中国第三代半导体发展的征途中继续扬帆起航,凝心聚力铸就辉煌。



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