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基本半导体 文章

基本半导体推出高性能碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)

  •   碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件,SiC JBS能提供近乎理想的动态性能,基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市,凭借其优越性能广受市场追捧。  SiC JBS产品优势  作为单极型器件,SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存,其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容,反向恢复电荷以及反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重
  • 关键字: 基本半导体  SiC  

基本半导体总经理和巍巍博士参加航天新一代电源技术研讨会

  •   近日,航天新一代电源技术研讨会在北京成功举行。基本半导体总经理和巍巍博士受邀出席活动并作主题演讲。  研讨会由中国航天科技集团科技委微电子及元器件应用专业组、中国航天电子技术研究院科技委、中关村国科航天产业技术创新联盟联合主办。来自中国航天科技集团有限公司、中国电子科技集团有限公司、电子科技大学等50余家国内研究机构、高校以及民营单位共计100余位嘉宾出席研讨会。  研讨会报告内容精彩纷呈,基本半导体总经理和巍巍博士向与会人士详细介绍碳化硅器件优势及其在航天中的应用。基本半导体掌握了国际一流的碳化硅器
  • 关键字: 基本半导体  GaN  

3D SiC技术闪耀全场,基本半导体参展PCIM Asia引关注

  •   6月26日-28日,基本半导体成功参展PCIM Asia 2018上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。  基本半导体展台以充满科技感和未来感的蓝白为主色调,独有的3D SiC™技术和自主研发的碳化硅功率器件吸引了众多国内外参展观众的眼球。  全球独创3D SiC™技术  展会期间,基本半导体技术团队详细介绍了公司独创的3D SiC™外延技术,该技术能够充分利用碳化硅的材料潜力,通过外延生长结构取代离子注入,使碳化硅器件在高温应用中拥有更高的稳定性。优良的外延质量和设计灵活性也有利于实现高电流密度的
  • 关键字: 基本半导体  3D SiC技术  碳化硅功率器件  

国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行调研基本半导体

  •   4月9日上午,国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。  基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品,包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管,以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。  随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定,并鼓励公司团队再接再厉,立足创新驱动,不断发展壮大,成为中国第三代半导体产业的领军企业。  国家集成电路产业投资基金是为促进集
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  功率芯片  集成电路  

砥砺奋进逐梦前行,基本半导体总经理和巍巍博士当选中国半导体行业协会理事

  •   12月19日,中国半导体行业协会换届大会暨第七届会员大会、第七届理事会第一次会议在上海召开。基本半导体总经理和巍巍博士受邀出席并当选新一届中国半导体行业协会理事,以碳化硅为代表的第三代半导体受到行业广泛关注。  2017年全球半导体产业重新进入加速发展通道,预计全年市场规模将增长至3465亿美元,中国市场成全球半导体产业引擎,近三年来市场规模都以超过全球20%的速度快速增长。与此同时,发展第三代半导体产业已经上升到国家战略,在政策和市场的双重驱动下,第三代半导体行业将迎来增长爆发期。  工业和信息化部
  • 关键字: 基本半导体  
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基本半导体介绍

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