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基本半导体 文章

重磅推出碳化硅MOSFET ,基本半导体参加第二届国际电力电子技术与应用会议

  •   11月4-7日,由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重举行。基本半导体作为本次大会的金牌赞助商,重磅推出碳化硅MOSFET产品,反响热烈。  作为全球性的电力电子行业盛会,IEEE PEAC 2018可谓大咖云集,来自31个国家和地区的电力电子学术界和产业界的800余位代表参加了本次会议。大会主席、中国电源学会理事长徐德鸿教授主持开幕式并致开幕词,美国工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元教授,中国工程院院
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体携碳化硅 MOSFET新品亮相第92届中国电子展

  •   10月31日-11月2日,第92届中国电子展在上海新国际博览中心隆重举行。基本半导体亮相深圳坪山第三代半导体产业园展区,展示公司自主研发的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二极管等产品。  中国电子展是电子行业的年度盛会,集中展示电子元器件、集成电路、电子制造设备、测试测量、军民融合、物联网、汽车电子等产业,倾力打造从上游基础电子元器件到下游产品应用端的全产业链阵容。本次展会以“信息化带动工业化,电子技术促进产业升级”为主题,共有40000余名买家和专业观众观展,共同打造了一场电子行业年度盛会。 
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体承办中日韩第三代半导体技术研讨会

  •   11月5日,在第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会期间,来自中国、日本和韩国的第三代半导体专家齐聚基本半导体,参加第三代半导体功率器件先进应用技术研讨会。  出席会议的嘉宾包括清华大学孙凯副教授和郑泽东副教授、上海交通大学马柯博士、华中科技大学蒋栋教授、长冈技术科学大学伊东淳一教授、东京都立大学和田圭二副教授、韩国亚洲大学Kyo-Beum Lee教授、奥尔堡大学王雄飞博士和杨永恒博士等多所知名高校的专家学者和基本半导体研发团队。与会嘉宾分享了各自在第三代半导体功率器件领域的最新研究主题和方向,
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体荣获“2018年度深圳市人才伯乐奖”

  •   近日,从深圳市人力资源和社会保障局传来喜讯,基本半导体凭借在人才引进方面的突出成果,获评“2018年度深圳市人才伯乐奖”。  深圳市人才伯乐奖是由深圳市政府设立,旨在鼓励企事业单位、人才中介组织等引进和举荐人才,以增强企业科技创新能力,提升城市核心竞争力。每年市政府通过评选伯乐奖对在本市人才培养、引进过程中作出贡献的单位及个人给予表彰和奖励。  基本半导体是第三代半导体领域的高新技术企业,从创立之初就非常重视人才的引进和培养。作为一家由海归博士创立的公司,基本半导体依托广泛的海外资源,成功引进了来自英
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体成功主办第二届中欧第三代半导体高峰论坛

  •   10月24日,由青铜剑科技、基本半导体、中欧创新中心联合主办的第二届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳会展中心成功举行。  本届高峰论坛和第三代半导体产业技术创新战略联盟达成战略合作,与第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛同期举行,来自中国、欧洲及其他国家的专家学者、企业领袖同台论剑,给现场观众带来了一场第三代半导体产业的盛宴。  立足国际产业发展形势,从全球视角全面探讨第三代半导体发展的现状与趋势、面临的机遇与挑战,以及面向未来的战略与思考是中欧第三代半导体高峰论坛举办的宗旨。目
  • 关键字: 基本半导体  3D SiC JBS二极管  4H 碳化硅PIN二极管  第三代半导体  中欧论坛  

基本半导体推出高性能碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)

  •   碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件,SiC JBS能提供近乎理想的动态性能,基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市,凭借其优越性能广受市场追捧。  SiC JBS产品优势  作为单极型器件,SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存,其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容,反向恢复电荷以及反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重
  • 关键字: 基本半导体  SiC  

基本半导体总经理和巍巍博士参加航天新一代电源技术研讨会

  •   近日,航天新一代电源技术研讨会在北京成功举行。基本半导体总经理和巍巍博士受邀出席活动并作主题演讲。  研讨会由中国航天科技集团科技委微电子及元器件应用专业组、中国航天电子技术研究院科技委、中关村国科航天产业技术创新联盟联合主办。来自中国航天科技集团有限公司、中国电子科技集团有限公司、电子科技大学等50余家国内研究机构、高校以及民营单位共计100余位嘉宾出席研讨会。  研讨会报告内容精彩纷呈,基本半导体总经理和巍巍博士向与会人士详细介绍碳化硅器件优势及其在航天中的应用。基本半导体掌握了国际一流的碳化硅器
  • 关键字: 基本半导体  GaN  

3D SiC技术闪耀全场,基本半导体参展PCIM Asia引关注

  •   6月26日-28日,基本半导体成功参展PCIM Asia 2018上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。  基本半导体展台以充满科技感和未来感的蓝白为主色调,独有的3D SiC™技术和自主研发的碳化硅功率器件吸引了众多国内外参展观众的眼球。  全球独创3D SiC™技术  展会期间,基本半导体技术团队详细介绍了公司独创的3D SiC™外延技术,该技术能够充分利用碳化硅的材料潜力,通过外延生长结构取代离子注入,使碳化硅器件在高温应用中拥有更高的稳定性。优良的外延质量和设计灵活性也有利于实现高电流密度的
  • 关键字: 基本半导体  3D SiC技术  碳化硅功率器件  

国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行调研基本半导体

  •   4月9日上午,国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。  基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品,包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管,以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。  随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定,并鼓励公司团队再接再厉,立足创新驱动,不断发展壮大,成为中国第三代半导体产业的领军企业。  国家集成电路产业投资基金是为促进集
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  功率芯片  集成电路  

砥砺奋进逐梦前行,基本半导体总经理和巍巍博士当选中国半导体行业协会理事

  •   12月19日,中国半导体行业协会换届大会暨第七届会员大会、第七届理事会第一次会议在上海召开。基本半导体总经理和巍巍博士受邀出席并当选新一届中国半导体行业协会理事,以碳化硅为代表的第三代半导体受到行业广泛关注。  2017年全球半导体产业重新进入加速发展通道,预计全年市场规模将增长至3465亿美元,中国市场成全球半导体产业引擎,近三年来市场规模都以超过全球20%的速度快速增长。与此同时,发展第三代半导体产业已经上升到国家战略,在政策和市场的双重驱动下,第三代半导体行业将迎来增长爆发期。  工业和信息化部
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基本半导体介绍

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