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基本半导体 文章

脱颖而出!基本半导体获颁“中国芯”优秀技术创新产品奖

  • 近日,第十四届“中国集成电路产业促进大会”在青岛举办,现场揭晓了“中国芯”优秀产品征集结果,基本半导体车规级全碳化硅功率模块(BMB200120P1)荣获优秀技术创新产品奖。“中国芯”是国内集成电路产业的最高荣誉,被誉为我国集成电路设计业发展的风向标。工业和信息化部电子信息司司长乔跃山出席活动并发表致辞基本半导体董事长汪之涵博士(左起第五位)登台领奖中国集成电路产业促进大会现场集成电路产业是国家战略性新兴产业。“中国芯”优秀产品征集活动旨在征集国内集成电路领域产品创新、技术创新和应用创新成果,打造中国集成
  • 关键字: 车规级全碳化硅功率模块(BMB200120P1)、基本半导体、中国芯、中国集成电路产业促进大会  

国产芯片真金质!基本半导体挑战极限高温测试“火”力全开

  • 挑战骄阳火焰山,何须芭蕉借又还。国产芯片真金质,不惧火炼过楼兰。——郑广州国创中心副总经理8月14日,国家新能源汽车技术创新中心(简称“国创中心”)邀请基本半导体等13家国内整车和半导体企业的专家,实地开展“中国车规半导体首批测试验证项目吐鲁番高温试验”活动,并举行了车规半导体测试验证项目高温测试技术研讨会。自2019年7月底开始,国创中心携搭载了国产自主硅基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、碳化硅二极管和碳化硅MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的4辆试验车,在吐鲁番进行为期一个月的“极限高温”
  • 关键字: 国产芯片  基本半导体  极限高温测试  

基本半导体与NetPower达成战略合作,优质代理商火热招募中!

  • 日前,基本半导体与NetPower签订战略合作协议,双方将共同开发欧美地区第三代半导体市场。这是基本半导体继成立瑞典海外营销中心后,公司国际化战略的又一里程碑。根据合作协议,NetPower正式成为基本半导体欧美地区授权分销商,为欧洲及北美客户提供基本半导体全线碳化硅功率器件产品销售、方案咨询和售后等相关服务。此次战略合作的达成,将实现基本半导体与NetPower的优势互补与资源有效整合,为基本半导体全面实施国际化经营战略,提升品牌的国际知名度提供有力支撑。NetPower于2000年在美国德克萨斯州成立
  • 关键字: 基本半导体  第三代半导体  NetPower  

中国深圳创新创业大赛第三届国际赛英国伦敦分站赛圆满成功

  •   深圳市人民政府主办,深圳市人力资源和社会保障局、深圳市坪山区人民政府承办的中国深圳创新创业大赛第三届国际赛英国伦敦分站赛,于英国时间3月22日下午在英国伦敦顺利举行,比赛最终决出今年4月份前往深圳参加全球总决赛的10个晋级项目。  深圳市人力资源和社会保障局党组成员、局机关党委专职副书记杜斌出席活动并致辞。杜斌表示,深圳是中国改革开放的窗口,是中国最早实施改革开放、影响最大、建设最好的经济特区,创造了世界工业化、城市化、现代化发展的奇迹。近年来,深圳坚定实施创新驱动发展战略,构建“基础研究+技术攻关+
  • 关键字: 基本半导体  创新创业大赛  第三届国际赛英国伦敦分站赛  

基本半导体参加全国政协副主席万钢调研活动

  •   近日,全国政协副主席、致公党中央主席、中国科学技术协会主席万钢一行莅临深圳第三代半导体研究院调研。研究院院长赵玉海、副理事长吴玲等陪同调研。基本半导体作为深圳第三代半导体研究院发起共建单位受邀参加调研活动。  万钢主席一行在赵玉海院长陪同下详细了解了第三代半导体产业的发展情况,并参观了研究院碳化硅衬底、外延、器件、封装,硅基GaN外延,新能源汽车变换器等实物展品。  基本半导体董事长汪之涵博士、副总经理张振中博士和高级顾问高跃博士向万钢一行汇报了基本半导体在碳化硅功率器件领域的创新成果,介绍了自主研发
  • 关键字: 基本半导体  万人计划  巍巍博士  第三代半导体  

基本半导体总经理和巍巍博士入选国家“万人计划”

  •   日前,中共中央组织部办公厅下发《关于印发第四批国家“万人计划”入选人员名单的通知》,基本半导体总经理和巍巍博士成功入选国家“万人计划”科技创业领军人才!  国家“万人计划”全称是“国家高层次人才特殊支持计划”,是一项涵盖领域广、涉及部门多、实施周期长的高层次人才支持计划,由中组部、人社部等11个部委联合推出,面向全国自然科学、工程技术和哲学社会科学领域的杰出人才、领军人才和青年拔尖人才给予特殊支持,旨在加快培养造就一批为建设创新型国家提供坚强支撑的高层次创新创业人才。  和巍巍博士是国内电力电子行业知
  • 关键字: 基本半导体  金威源科技  第三代半导体  联合实验室  

强强联合!基本半导体和金威源科技共建联合实验室

  •   2月28日,基本半导体和金威源科技签订战略合作协议,共同设立“金威源科技—基本半导体联合实验室”,针对第三代半导体在高效电源领域展开技术研发和产品创新等深度合作。  联合实验室签约揭牌仪式在金威源坪山科技园数字化展厅举行。坪山区科技创新服务署副署长熊云洋、经济和科技促进局副调研员刘耀煌、金威源科技股份有限公司董事长蒋中为、基本半导体董事长汪之涵、总经理和巍巍及相关人员出席活动。  坪山区政府在2018年出台了《坪山区关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施》的政策,支持坪山企业大力发展第三代半导体
  • 关键字: 基本半导体  第三代半导体  碳化硅功率器件  

重磅推出碳化硅MOSFET ,基本半导体参加第二届国际电力电子技术与应用会议

  •   11月4-7日,由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重举行。基本半导体作为本次大会的金牌赞助商,重磅推出碳化硅MOSFET产品,反响热烈。  作为全球性的电力电子行业盛会,IEEE PEAC 2018可谓大咖云集,来自31个国家和地区的电力电子学术界和产业界的800余位代表参加了本次会议。大会主席、中国电源学会理事长徐德鸿教授主持开幕式并致开幕词,美国工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元教授,中国工程院院
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体携碳化硅 MOSFET新品亮相第92届中国电子展

  •   10月31日-11月2日,第92届中国电子展在上海新国际博览中心隆重举行。基本半导体亮相深圳坪山第三代半导体产业园展区,展示公司自主研发的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二极管等产品。  中国电子展是电子行业的年度盛会,集中展示电子元器件、集成电路、电子制造设备、测试测量、军民融合、物联网、汽车电子等产业,倾力打造从上游基础电子元器件到下游产品应用端的全产业链阵容。本次展会以“信息化带动工业化,电子技术促进产业升级”为主题,共有40000余名买家和专业观众观展,共同打造了一场电子行业年度盛会。 
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体承办中日韩第三代半导体技术研讨会

  •   11月5日,在第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会期间,来自中国、日本和韩国的第三代半导体专家齐聚基本半导体,参加第三代半导体功率器件先进应用技术研讨会。  出席会议的嘉宾包括清华大学孙凯副教授和郑泽东副教授、上海交通大学马柯博士、华中科技大学蒋栋教授、长冈技术科学大学伊东淳一教授、东京都立大学和田圭二副教授、韩国亚洲大学Kyo-Beum Lee教授、奥尔堡大学王雄飞博士和杨永恒博士等多所知名高校的专家学者和基本半导体研发团队。与会嘉宾分享了各自在第三代半导体功率器件领域的最新研究主题和方向,
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体荣获“2018年度深圳市人才伯乐奖”

  •   近日,从深圳市人力资源和社会保障局传来喜讯,基本半导体凭借在人才引进方面的突出成果,获评“2018年度深圳市人才伯乐奖”。  深圳市人才伯乐奖是由深圳市政府设立,旨在鼓励企事业单位、人才中介组织等引进和举荐人才,以增强企业科技创新能力,提升城市核心竞争力。每年市政府通过评选伯乐奖对在本市人才培养、引进过程中作出贡献的单位及个人给予表彰和奖励。  基本半导体是第三代半导体领域的高新技术企业,从创立之初就非常重视人才的引进和培养。作为一家由海归博士创立的公司,基本半导体依托广泛的海外资源,成功引进了来自英
  • 关键字: 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

基本半导体成功主办第二届中欧第三代半导体高峰论坛

  •   10月24日,由青铜剑科技、基本半导体、中欧创新中心联合主办的第二届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳会展中心成功举行。  本届高峰论坛和第三代半导体产业技术创新战略联盟达成战略合作,与第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛同期举行,来自中国、欧洲及其他国家的专家学者、企业领袖同台论剑,给现场观众带来了一场第三代半导体产业的盛宴。  立足国际产业发展形势,从全球视角全面探讨第三代半导体发展的现状与趋势、面临的机遇与挑战,以及面向未来的战略与思考是中欧第三代半导体高峰论坛举办的宗旨。目
  • 关键字: 基本半导体  3D SiC JBS二极管  4H 碳化硅PIN二极管  第三代半导体  中欧论坛  

基本半导体推出高性能碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)

  •   碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件,SiC JBS能提供近乎理想的动态性能,基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市,凭借其优越性能广受市场追捧。  SiC JBS产品优势  作为单极型器件,SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存,其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容,反向恢复电荷以及反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重
  • 关键字: 基本半导体  SiC  

基本半导体总经理和巍巍博士参加航天新一代电源技术研讨会

  •   近日,航天新一代电源技术研讨会在北京成功举行。基本半导体总经理和巍巍博士受邀出席活动并作主题演讲。  研讨会由中国航天科技集团科技委微电子及元器件应用专业组、中国航天电子技术研究院科技委、中关村国科航天产业技术创新联盟联合主办。来自中国航天科技集团有限公司、中国电子科技集团有限公司、电子科技大学等50余家国内研究机构、高校以及民营单位共计100余位嘉宾出席研讨会。  研讨会报告内容精彩纷呈,基本半导体总经理和巍巍博士向与会人士详细介绍碳化硅器件优势及其在航天中的应用。基本半导体掌握了国际一流的碳化硅器
  • 关键字: 基本半导体  GaN  

3D SiC技术闪耀全场,基本半导体参展PCIM Asia引关注

  •   6月26日-28日,基本半导体成功参展PCIM Asia 2018上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。  基本半导体展台以充满科技感和未来感的蓝白为主色调,独有的3D SiC™技术和自主研发的碳化硅功率器件吸引了众多国内外参展观众的眼球。  全球独创3D SiC™技术  展会期间,基本半导体技术团队详细介绍了公司独创的3D SiC™外延技术,该技术能够充分利用碳化硅的材料潜力,通过外延生长结构取代离子注入,使碳化硅器件在高温应用中拥有更高的稳定性。优良的外延质量和设计灵活性也有利于实现高电流密度的
  • 关键字: 基本半导体  3D SiC技术  碳化硅功率器件  
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基本半导体介绍

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