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碳化硅功率器件 文章

3D SiC技术闪耀全场,基本半导体参展PCIM Asia引关注

  •   6月26日-28日,基本半导体成功参展PCIM Asia 2018上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。  基本半导体展台以充满科技感和未来感的蓝白为主色调,独有的3D SiC™技术和自主研发的碳化硅功率器件吸引了众多国内外参展观众的眼球。  全球独创3D SiC™技术  展会期间,基本半导体技术团队详细介绍了公司独创的3D SiC™外延技术,该技术能够充分利用碳化硅的材料潜力,通过外延生长结构取代离子注入,使碳化硅器件在高温应用中拥有更高的稳定性。优良的外延质量和设计灵活性也有利于实现高电流密度的
  • 关键字: 基本半导体  3D SiC技术  碳化硅功率器件  
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碳化硅功率器件介绍

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