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碳化硅功率器件 文章

强强联合!基本半导体和金威源科技共建联合实验室

  •   2月28日,基本半导体和金威源科技签订战略合作协议,共同设立“金威源科技—基本半导体联合实验室”,针对第三代半导体在高效电源领域展开技术研发和产品创新等深度合作。  联合实验室签约揭牌仪式在金威源坪山科技园数字化展厅举行。坪山区科技创新服务署副署长熊云洋、经济和科技促进局副调研员刘耀煌、金威源科技股份有限公司董事长蒋中为、基本半导体董事长汪之涵、总经理和巍巍及相关人员出席活动。  坪山区政府在2018年出台了《坪山区关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施》的政策,支持坪山企业大力发展第三代半导体
  • 关键字: 基本半导体  第三代半导体  碳化硅功率器件  

3D SiC技术闪耀全场,基本半导体参展PCIM Asia引关注

  •   6月26日-28日,基本半导体成功参展PCIM Asia 2018上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。  基本半导体展台以充满科技感和未来感的蓝白为主色调,独有的3D SiC™技术和自主研发的碳化硅功率器件吸引了众多国内外参展观众的眼球。  全球独创3D SiC™技术  展会期间,基本半导体技术团队详细介绍了公司独创的3D SiC™外延技术,该技术能够充分利用碳化硅的材料潜力,通过外延生长结构取代离子注入,使碳化硅器件在高温应用中拥有更高的稳定性。优良的外延质量和设计灵活性也有利于实现高电流密度的
  • 关键字: 基本半导体  3D SiC技术  碳化硅功率器件  
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碳化硅功率器件介绍

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