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SiC将与IGBT或MOSFET共存

作者:时间:2018-04-08来源:电子产品 世界收藏

作者/落合康彦 电子中国汽车电子业务中心高级部门专家

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201804/378004.htm

虽然有成本方面的问题,但是其众所周知的在各个高端应用中所表现出的高性能也能够弥补其在价格方面的短板,尤其是在电动车与再生能源越来越受到重视,将为中功率、高功率应用领域带来大量需求。氮化镓技术能够降低成本,又能够保持半导体器件的优越性能,在中、低功率应用领域具备拥有巨大潜力。但也并不是说将来所有的功率器件都会被替代,我们认为和现存的IGBT或MOSFET都能在其有优势的领域中共同发挥所长,共生共栖。

电子已经推出了集成电源转换电路的低损耗碳化硅功率器件,能够提供工业设备的电源产品的功率器件的解决方案,同时也着手开始以面向车载为重点的碳化硅MOSFET的研发,为电动汽车的应用带来最佳的解决方案。



关键词: 瑞萨,碳化硅

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