东芝推出适用于移动设备中负载开关的业界领先低导通电阻N沟道MOSFET

　　东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出适用于智能手机和平板电脑等移动设备中的负载开关的N沟道MOSFET，该产品实现了业界领先的1]低导通电阻。新产品出货即日启动。

　　新产品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。这些新MOSFET利用东芝最先进的“U-MOS IX-H系列”沟道工艺，实现了业界领先的低导通电阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及“SSM6K514NU”：8.9mOhm。这样，与东芝现有产品相比，这些新产品能够将开通损耗造成的散热降低约40%。

　　MOSFET适合应用于超过10W的电力开关应用，包括符合USB Type-C™和USB Power Delivery (PD)标准的小型移动设备，它们有助于提高系统效率，降低功耗。

　　主要规格