晶体管驱动负载探索

　　我们制作了晶体管的测试电路板，分别对NPN 型晶体管2N5551、PNP 型晶体管2N5401 驱动电路中相同负载的不同接法做了实物测试。图4（a）是晶体管测试电路板的原理图，将图4（a）左边J1 的1、2 引脚短接，可以测试NPN 型晶体管负载驱动电路；将J1的2、3引脚短接，可以测试PNP型晶体管负载驱动电路。

图4（a）是晶体管测试电路板的原理图

图4（b）是晶体管测试电路的实物连接图

　　图4（b）是晶体管测试电路的实物连接图，左侧的电流表显示电路的基极电流Ib，中间的电流表显示集电极电流Ic 或发射极电流Ie，右侧电压表显示晶体管集电极和发射极之间电压Uce。实验测得的数据如表3 所示。

表3 （测试条件Vcc=5.04V）

　　从表3 可以看出，在负载相同情况下，无论选用NPN 型晶体管或PNP 型晶体管，负载接在晶体管集电极端时负载上得到的电压较大、得到的功率也较多，晶体管压降小。

　　5、结论

　　通过Multsim 软件仿真和硬件实物测试，我们得出如下结论：在使用晶体管作开关驱动负载时，为了使负载上得到较大的功率，应该将负载接在三极管的集电极使用，通过基极的电流要0.1 倍的负载电流或更大。