恩智浦推出采用小型晶圆级CSP封装的LDO

　　恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日宣布其LD6806CX4超低压差稳压器(LDO)开始供货。该产品具有超低压差的特性，在200-mA额定电流下压降仅为60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圆级芯片级封装 (WLCSP)，所占用的电路板空间极小，是设计尺寸有限且对电池寿命要求极高移动设备的理想之选。手机电池的放电几乎与时间呈线性关系，但LDO可以通过提供恒定的稳压输出电压，从而有效地改善这种状况。举例来说，假如一部智能手机的电池电压下降至3.0 V，具有低压差电压特性的LD6806CX4仍然可以在2.9V的强制稳定电源电压下支持SD卡应用。LD6806CX4是恩智浦新型LD6806系列LDO中的一员，各大经销商现已开始供货。

　　LD6806系列的主要特点

　　· 恩智浦新型LD6806 LDO系列噪声极低(仅30 µVRMS)，可有效避免稳压输出电源的变化，无需使用任何外部专用降噪电容。

　　· 支持电池供电应用，待机功耗仅为0.1 µA (典型值)，有助于降低功耗、提高电池效率。

　　· LD6806系列ESD稳健性首屈一指，高达10 kV(HBM)，同时结合过热保护和限流器，提供了优秀的电路保护方案。

　　· LD6806现提供两种封装选择：采用极小型DFN1410-6(SOT886)无铅封装的LD6806F，其尺寸仅为1.45 x 1.0 x 0.5 mm;采用5个引脚的SOT753通用消费级封装的LD6806TD，标准尺寸为2.9 x 1.5 x 1.0 mm。