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IR推出100V集成MOSFET解决方案

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作者:时间:2005-12-23来源:收藏

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/10421.htm

为PoE应用节省80%的占位空间

国际整流器公司近日推出F4000型100V器件。该器件将4个HEXFET  集成在一个功率MLP封装内,可满足以太网供电(Power-over-Ethernet,简称PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准,例如以太网交换器、路由器和集线器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4个独立SOT-223封装的。其减少的占位面积相当于节省了80%的空间,或相当于典型48端口电路板中3平方英寸的占板面积。

中国及香港销售总监严国富指出:“PoE卡的每个端口都需要有各自的F4000正好可以满足这种需要。与使用单独MOSFET的相比,它能大幅度减少零件数目,同时简化制造工艺,可在48端口系统中节省36个插入元件。”

IEEE 802.3af提出了在网络系统中由电源设备通过局域网向用电装置供电的标准。IR的这款新型MOSFET的工作类似一个热交换场效应管,在受控环境下,可将电力由电源设备输送到用电装置。由于它必须在线性区域工作,工作环境也非常严峻,因此必须设置一个高度稳定的安全工作区域(SOA)。

IRF4000采用低跨导硅技术,封装热阻约1



关键词: IR MOSFET 解决方案

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