化合物半导体太阳能电池07年量产

　　使用化合物半导体取代主流结晶硅的太阳能电池面板的量产消息接连不断。本田近日正式宣布，2007年年产规模达27.5MW的新工厂将投入生产（发布资料）。昭和壳牌石油也宣布，2007年1月投入量产。 

　　该公司2005年底开始在宫崎县田野町尾胁高新技术工业园区建设太阳能电池量产厂，计划2007年1月开工投产。年产量为20MW。由于目前主流的结晶硅太阳能电池原料——多晶硅材料日趋匮乏，因此今后准备量产有望成为替代性能源的化合物半导体太阳能电池。 

　　发电层厚度为结晶硅型的1/50～1/100 

　　“化合物半导体电池的发电层厚度为2μm，远远要比结晶硅型的100～200μm薄得多。由于材料用量少，因此原料成本就便宜。”在“2005年生态产品展（时间：2005年12月15～17日，地点：东京BigSight国际会展中心）”上，该公司研究开发部规划管理科的西村隆雄强调说。该公司在此次展会上展出了化合物半导体型“CIS太阳能电池”。 

　　该公司在独立行政法人日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的委托研究基础上，开发出了可提高CIS太阳能电池转换效率以及用于量产的关键技术。原料为铜（Cu）、铟（In）、硒（Se），取每种材料的头一个字母，将其命名为“CIS（Copper，Indium，Selenium）”。 

　　转换效率在量产之前将提高至12～13% 

　　计划量产的是30cm