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175℃极限突破！SiC JFET 让固态断路器（SSCB）无惧高温工况

断路器是一种用于保护电路免受过流、过载及短路损害的装置。它不用于保护人员免受电击，而用于防范此类电击的装置被称为剩余电流装置（RCD）或接地故障断路器（GFCI）。该装置可检测泄漏电流并切断电路。机电式断路器的设计可...

安森美 SiC 2025-09-24

一文读懂SiC Combo JFET技术

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通...

安森美 SiC 2025-06-30

SiC Combo JFET技术概览与特性

SiC Combo JFET 安森美 2025-06-26

SiC Combo JFET讲解，这些技术细节必须掌握

安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 ...

安森美 SiC 2025-06-11

英飞凌重返SiC JFET，实现更智能、更快速的固态配电

Infineon Technologies 开发了用于固态保护和配电设计的新型碳化硅 JFET 系列。这是继 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一产品。JFET 通过反向偏置 PN 结...

英飞凌 SiC 2025-05-12

英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电

近日，为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电...

英飞凌 CoolSiC 2025-05-07

为什么碳化硅Cascode JFET可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？

简介电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优...

碳化硅 Cascode JFET 2025-03-11

速看！SiC JFET并联设计白皮书完整版

随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。在第一篇文章(SiC JFET并联难题大揭秘，这些挑战让工程师 “头秃”！https://www.eepw.com.cn/a...

SiC JFET 2025-03-05

SiC JFET并联难题大揭秘，这些挑战让工程师 “头秃”！

随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的...

JFET Cascode 2025-03-05

从硅到碳化硅过渡，碳化硅Cascode JFET 为何能成为破局者？

电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（...

SiC Cascode 2025-02-24

安森美将收购碳化硅JFET技术，以增强其针对AI数据中心的电源产品组合

安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteS...

安森美碳化硅JFET 2024-12-11

安森美收购Qorvo旗下SiC JFET技术

据安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司 United Silicon Carbide。该交易需满...

安森美收购 2024-12-11

很基础的MOS管知识

半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），...

三极管 MOSFET 2024-08-06

还分不清结型场效应管与绝缘栅？看这一文就够了，图表展现

JFET 与 MOSFET的区别JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场...

结型场效应管 jfet 2024-08-01

结型场效应管极性判断方法，帮你搞定jfet极性判断

今天给大家讲讲结型场效应管极性判断方法。用万用表来判断JFET极性相对来说比较简单，因为只有一个PN结要测：要么在栅极和源极之间测量，要么在栅极和漏极之间测量。1、结型场效应管极性判断方法--引脚识别JFET的栅极对应晶...

结型场效应管 jfet 2024-08-01

晶体管分类有哪些？收藏这一张图就够了！

本文来自公众号：8号线攻城狮，主要介绍了晶体管分类，并以NPN BJT为例，分析了晶体管的参数和特性。...

晶体管 NPN 2021-05-25

如何成为硬件高手

　　摘要：驾驶着进取号电子飞船，从发射区进入充满黑洞的基区，一些同伴被黑洞束缚，一些掳去另一世界，你幸运地躲过一劫飞到集电结，受到强大的吸力快速渡越出集电区，漫游在低阻导线上，松了一口气。然而前路不如你所愿地一帆风顺，阻...

仿真 JFET 2017-04-21

结型场效应管(JFET)的基础知识

　　结构与符号：　　　　在N区两侧扩散两个P+区，形成两个PN结。两个P+区相连，引出栅极g。N体的上下两端分别引出漏极d和源极s。　　导电原理：　　　　(1)VGS=0时，N型棒体导电沟道最宽(N型区)...

JFET 2017-01-03

CMOS放大器和JFET放大器的输入偏置电流

　　由于具有较低的偏置电流，人们经常选用CMOS和JFET运算放大器。然而你应该意识到，这个事实还与很多其它的原因相关。　　CMOS晶体管的栅极 (CMOS运算放大器的输入端)有极低的输入电流。必须设计附加的电路来对脆弱...

CMOS JFET 2015-12-21

场效应管工作原理- -场效应管工作原理也疯狂

一、场效应管的工作原理- -概念　　场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，也称为单极性场效应管，是一种常见的利用输入回路的电场效...

场效应管 MOS 2015-01-16

挑战毫微安小电流测量技术

几千种应用都需要测试小电流的电路，最常见的是测量二极管受光照射所产生的光电电流。一些科学应用（如CT......

毫微安电流电流测量 2012-09-04

确定JFET特性的简单电路

当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏极电流，VGS是栅源...

电路简单 2012-07-02

JFET级联实现恒定精确电流源的方法

很多工艺控制传感器（如热敏电阻器和应变桥）都需要精确的偏置电流。增加一只电流设置电阻器R1后，电压基准电路IC ......

JFET 恒定 2012-06-26

英飞凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英...

英飞凌 SiC 2012-06-20

Power Integrations将销售SiC二极管和JFET

用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories签署代表其在欧洲以外市场销售创新的碳化硅(SiC)二极管和JFET系列产品的协议。...

Power Integrations SiC二极管 2011-11-30

电脑的麦克风电路以及JFET-MOSFET耳机功放电路

电脑的麦克风电路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and...

电路耳机 2010-02-01

德州仪器推出业界速度最快的 JFET 输入放大器

　　日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 OPA653 与 OPA659 JFET 输入运算放大器，其可实现3 倍于同类竞争产品的 2675 V/us 压摆率，从而可显著提高脉冲响应。上述放大器将宽带电压反馈放大器与高阻抗...

TI 运算放大器 2009-12-14