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JFET

  最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极,两个PN结之间有导电沟道,通过改变外加PN界的反向偏置电压,以改变PN结耗尽层的厚度,从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出电流的目的,因此,这种场效应管也被称为PN结型场效应晶体管,即PN JFET(PN Junction FET),通常也称JFET。   什么是 JFET   一种单极的三层晶体管,它是一种控制极是由pn组成的场效应晶体管,工作依赖于惟一种载流子 - 电子或空穴的运动。对于一个"正常接通”器件,每当N沟道JFET的漏极电压相对于源极为正时,或是当P沟道JFET的漏极电压相对于源极为负时,都有电流在沟道中流过。在JFET沟道中的电流受栅极电压的控制,为了“夹断”电流的流动,在N沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是负的;或者在P沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是正的。 查看详情>>

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sungang1021|浏览:1914|回复:2| sungang1021 2015-12-01 22:22:59
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